佐藤 正俊 | 物性研
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概要
関連著者
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佐藤 正俊
物性研
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佐藤 正俊
名大理
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星埜 禎男
東大 物性研
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星埜 禎男
物性研
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星埜 禎男
筑波大物工
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安岡 弘志
物性研
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西原 弘訓
物性研
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水貝 俊治
阪大理
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藤下 豪司
物性研
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栗原 進
物性研
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安岡 弘志
東大物性研
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西原 弘訓
東大物性研
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秋光 純
青学大理工
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野村 一成
都立大理
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古賀 珪一
東大物性研
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中尾 公一
東大物性研
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赤羽 隆史
無機材研
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古賀 珪一
物性研
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尾上 史郎
岡山理科大
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赤羽 隆史
Nims物質研
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赤羽 隆史
物質・材料研究機構
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久米 潔
都立大理
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中尾 公一
物性研
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那波 孝
青学大理工
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斉藤 保
青学大理工
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佐藤 昭一
物性研
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大谷 槻男
物性研
著作論文
- 5a-A-9 (TaMSe_4)_2Iおよび(NbSe_4)_2Iの帯磁率
- 5a-A-16 層状構造Wo_及びW-ブロンズの電気抵抗
- 5a-A-12 層状構造MoO__,M_xMoO_3の抵抗や帯磁率の異常
- 5a-A-15 Ka_3MoO_3のパイエルスギャップの測定
- 5a-A-8 準一次元導体(MSe_4)_xI(M=Ta and Nb)の電気抵抗とX線回折II
- 4a-NB-1 NaxWo_3の逐次相転移の中性子散乱による研究
- 31a-E3-2 (TaSe_4)_2I及び(NbSe_4)_2Iにおける電荷密度波転移と格子振動(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
- 31a-E3-3 (TaSe_4)_2Iの構造相転移とラマン散乱(理論)(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
- 1p-D2-8 Rb_MoO_3のNMR(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
- 1p-D2-6 チャンネル構造を持った化合物Tl_xV_yS_8および(NH_4)_xWO_3のNMR(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)