1p-D2-6 チャンネル構造を持った化合物Tl_xV_yS_8および(NH_4)_xWO_3のNMR(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1985-03-31

著者

• 安岡 弘志

  物性研

• 西原 弘訓

  物性研

• 尾上 史郎

  岡山理科大

• 佐藤 正俊

  物性研

• 大谷 槻男

  物性研

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