30p-J-4 ホット・ウォール・エピタキシー法により作製したII-VI族半導体薄膜の光物性I(30pJ イオン結晶・光物性(磁気ポーラロン・磁性体))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1989-03-28

著者

• 相馬 出

  東北大科研

• 岡 泰夫

  東北大科研

• 泉沢 久美恵

  東北大科研

• 藤安 洋

  静大工

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