22pK-5 Cd_<1-x>Mn_xSe量子ドットの磁気光学特性II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
柴田 勝弘
東北大科研
-
相馬 出
東北大科研
-
岡 泰夫
東北大科研
-
高林 和雅
東北大科研
-
Shen J.
東北大科研
-
J.X Shen
東北大科研
-
高林 和雅
東北大科研:crest Jst
-
Shen J.x.
東北大科研:crest Jst
関連論文
- 29pTC-14 Zn_Cd_xMn_ySe量子細線の電子ビームリソグラフィーによる作製
- 29pTC-2 Cd_Hg_xMn_yTeの磁気光学特性
- 24pK-14 電子線リソグラフィー法によるZn_Cd_xMn_ySe量子細線の作製と磁気光物性
- 24pK-13 Optical Properties of GaAs and ZnSe/Zn_Mn_xSe Quantum Wires Fabricated on Patterned GaAs Substrates
- 22pK-11 Cd_Mn_xTe系量子井戸のトンネル現象
- 22pK-6 Cd_Mn_xSe量子細線の磁気光学特性II
- 22pK-3 Cd_Mn_xTeにおける励起子磁気ポーラロン形成と緩和過程
- 24pC-7 Cd_Mn_xTe/CdMg_yTe量子井戸構造の磁気光学特性
- 24pC-4 Cd_Mn_xSe量子細線の磁気光学特性
- 31p-ZB-1 ZnSe系薄膜の極微細加工とその光物性
- 29a-ZE-7 Cd_Mn_xTeエピタキシー薄膜の成長とその磁気光学特性
- 1p-PSA-60 半磁性半導体Zn_Mn_xTeの磁気クラスターの動的振舞い
- 31p-YH-1 MBE法によるCd_Mn_xTe、Cd_Mg_xTe薄膜の成長とその評価
- 28a-PS-127 Zn_Mn_Te単結晶の磁気散漫散乱
- 14a-DE-3 Zn_Mn_xTe_Se_yの巨大ファラデー回転
- 3a-G-4 擬一次元ハロゲン架橋Ni錯体の電子状態と光吸収
- 29a-B-14 Zn_Mn_xTe のシンクロトロン放射分光
- 29a-B-13 Cd_Mn_xY(Y=S, Se, Te)中のMn 3d 電子状態
- 24p-W-20 Co系磁性多層膜のスピン波ブリルアン散乱II
- 3a-H-5 Co系磁性多層膜のスピン波ブリルアン散乱
- 31a-H-3 高密度磁気記録用CoNiPtスパッター薄膜のスピン波ブリルアン錯乱
- 3a-G-11 Co合金系スパッタ薄膜のスピン波ブリルアン散乱
- 2a-A-7 Cd_Mn_xSの発光
- 2a-TC-6 銀表面に吸着した色素におけるラマン散乱とルミネッセンス
- 4a-PS-13 吸着分子における二次光放射過程のピコ秒分光
- 29pTC-8 Zn_Mn_xTeホモエピタキシャル成長と光物性
- 24pC-6 Cd_Mn_xTeの量子井戸と単結晶における選択励起発光スペクトル
- 29a-ZE-11 Cd_Mn_xTe/ZnTe系量子井戸における励起子ダイナミクスIII
- 28p-YN-3 Cd_Mn_xTe/ZnTe系量子井戸における励起子ダイナミクスII
- 31p-YH-5 Cd_Mn_xTe/ZnTe系量子井戸における励起子ダイナミクス
- 5p-E-6 CdTe/ZnTe非対称二重量子井戸における励起子ダイナミクスとトンネル過程II
- 5p-E-5 CdTe/Cd_Zn_xTe系量子井戸における励起子緩和過程
- 29p-R-13 Cd_Mn_xTe/ZnTe量子井戸における超高速励起子ダイナミクスII
- 28p-YB-2 CdTe/ZnCdTe系量子井戸における超高速励起子緩和2
- CdTe/ZnCdTe系量子井戸における超高速励起子緩和
- CdTe/ZnTe非対称二重量子井戸における励起子ダイナミクスとトンネル過程
- Cd_Mn_xTe/ZnTe量子井戸における超高速励起子ダイナミクス
- 1p-Z-16 CdTe/ZnTe超格子における励起子の超高速過渡吸収分光
- 29pTC-16 Cd_Mn_xSe量子ドットの成長と磁気光物性III
- 30p-A-7 HWEによるCdSe-ZnSe超格子の作製と光物性評価
- 25p-X-15 ホット・ウォール・エピタキシー法により作製したCdTe/MnTe薄膜、超格子の光学的特性
- 2p-X-17 ホット・ウォール・エピタキシー法によるCd_Mn_xTe超格子の作製と光物性(III)
- 1p-F-3 ホット・ウォール・エピタキシー法によるCd_Mn_xTe超格子の作製と光物性 (I)
- 6a-B-19 ホット・ウォール・エピタキシー法による化合物半導体薄膜の作製とその光物性III
- 27p-W-4 Cd_Co_xSe, Cd_Fe_xSeの磁気光学的特性
- 27p-W-3 Cd_Mn_xSeの励起子磁気ポーラロン
- 31p-ZB-1 ZnSe系薄膜の極微細加工とその光物性
- 6a-B-16 Cd_Mn_XTe, Cd_Mn_XSeにおける励起子発光とMn^発光(II)
- 2p-X-18 Cd_Mn_xTeとCd_Mn_xSの励起子磁気ポーラロン
- 29a-ZE-1 Cd_Mn_xSeの量子ドットの磁気発光特性
- 27a-YN-4 CdSe/ZnSe系量子構造の光物性
- 29a-D-6 Cd_Mn_xTeのスピングラス中の励起子
- 29a-D-4 Cd_Fe_xSeの磁気光学特性
- 28p-E-16 Cd_Mn_xY (Y=Te, Se) の発光 : スピングラス相
- 28p-E-15 Cd_Mn_xY (Y=Te, Se) の発光 : BMPの生成過程
- 28p-E-14 Cd_Mn_xY (Y=Se, Te) の発光 : Mn高濃度域
- 27a-ZH-11 Zn_Mn_xTeの巨大ファラデー回転
- 2a-YH-1 Zn_Cd_xSe/ZnSe系非対称二重量子井戸における励起子ダイナミクスIII
- 30p-R-8 Zn_Cd_xSe/ZnSe系非対称二重量子井戸における超高速励起子ダイナミックス
- Zn_Cd_xSe/ZnSe系非対称二重量子井戸における励起子ダイナミックスと強励起効果
- 3p-X-3 Zn_Cd_xSe/ZnSe系非対称二重量子井戸における励起子ダイナミックス
- 29a-Z-16 Zn_Cd_xSe/ZnSe系量子井戸における励起子ダイナミックス II
- 31p-YL-7 Zn_Cd_xSe/ZnSe系量子井戸における励起子ダイナミックス
- 5p-F-7 Zn_Cd_xSe/ZnSe超格子の励起子発光特性
- 14a-DE-4 Cd_Mn_xTeの強励起発光
- 22pK-7 Zn_Cd_xMn_ySe/Zn_Mg_zSe量子井戸の磁気光学的特性
- 22pK-5 Cd_Mn_xSe量子ドットの磁気光学特性II
- 24pC-2 Cd_Mn_xSeの量子ドットの磁気光学特性
- 29pTC-7 希薄磁性半導体量子井戸におけるスピントンネルとスピン輸送
- 31p-YL-9 Zn_Cd_xSe/ZnSeMQWにおける誘導放射過程(III)
- 5p-F-6 Zn_Cd_xSe/ZnSeMQWにおける誘導放射過程(II)
- 12a-DE-11 Zn_Cd_xSe/ZnSeMQWにおける誘導放射過程
- 12a-DE-10 Zn_Cd_xSe/ZnSe SQWの発光過程 II
- 1p-N-7 Zn_Cd_xSe/ZnSeMQWにおける誘導放射
- 26a-ZH-11 Zn_Cd_xSe/ZnSe超格子の光スペクトル II
- 26a-ZH-10 Zn_Cd_xSe/ZnSeの超格子の光スペクトル I
- 29a-D-3 ZnTe-ZnSe超格子における励起子発光のピコ秒分光
- 5a-C-16 Cd_Fe_XSe(0≦x≦0.4)中のFe 3d状態
- 28p-F-9 Zn_Cd_xSe-ZnSe超格子の励起子発光
- 2p-X-21 Cd_Co_xSe、Cd_Fe_xSeの光物性
- 1p-F-6 Cd_Mn_xTe (0.1≦x≦0.3)における励起子磁気ポーラロンの生成 (II)
- 5p-C-11 半磁性半導体Cd_Mn_XTeのパルス光伝導 III
- 5a-S4-14 半磁性半導体Cd_Mn_xTeのパルス光伝導II
- 5a-C3-11 Cd_Mn_xTe,Cd_Mn_xSeにおける励起子磁気ポーラロン効果(IV)
- 5a-C3-10 Cd_Mn_xTe,Cd_Mn_xSeにおける励起子磁気ポーラロン効果(III)
- 29a-D-5 Cd_Mn_xTeのFaraday回転 : Mn濃度効果と時間特性
- 27p-PS-24 Y-Ba-Cu-O系の超伝導とラマン散乱
- 2p-C-13 ZnTe-ZnSe超格子における励起子発光のダイナミクス(イオン結晶・光物性)
- 1a-L2-13 半磁性半導体Cd_Mn_xTeのパルス光伝導I(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
- 28a-J-11 Cd_Mn_xTeとCd_Mn_xSeの結晶成長
- 1a-B2-4 Cd_Mn_xTe, Cd_Mn_xSeにおける励起子状態(I)(イオン結晶・光物性)
- 30a-LN-3 Cd_MnxTe、Cd_MnxSeの励起子磁気ポーラロンの生成消滅過程(II)(イオン結晶・光物性)
- 1p-PS-29 溶融法によるYBa_2Cu_3O_の結晶作製と評価(低温(酸化物超伝導体))
- 30a-LN-2 Cd_MnxTe(Se)の励起子磁気ポーラロンの生成消滅過程(I)(イオン結晶・光物性)
- 29p-SB-6 半磁性半導体における励起子磁気ポーラロンの超高速緩和(29pSB イオン結晶・光物性,半導体,量子エレクトロニクス合同シンポジウム:凝縮系の超高速緩和)
- 30p-J-5 ホット・ウォール・エピタキシー法により作製したII-VI族半導体薄膜の光物性II(30pJ イオン結晶・光物性(磁気ポーラロン・磁性体))
- 30p-J-2 Cd_Mn_xTeにおける励起子磁気ポーラロン : Cd_Zn_xTeとの比較(30pJ イオン結晶・光物性(磁気ポーラロン・磁性体))
- 30p-J-4 ホット・ウォール・エピタキシー法により作製したII-VI族半導体薄膜の光物性I(30pJ イオン結晶・光物性(磁気ポーラロン・磁性体))
- 30p-J-3 Cd_Mn_xTe,Cd_Mn_xSeにおける励起子発光とMn^発光(30pJ イオン結晶・光物性(磁気ポーラロン・磁性体))
- 1a-B2-5 Cd1-xMnxTe, Cd1-xMnxSeにおける励起子状態(II)(イオン結晶・光物性)