30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1981-03-30

著者

• 勝本 信吾

  東大理

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 大塚 洋一

  東大低温センター

• 佐々木 亘

  東大理

• 佐藤 真司

  東大理

• 佐々木 亘

  東邦大理

• 大塚 洋一

  東大理

• 中村 典雄

  東大理

関連論文

• 21pHV-5 1次元周期変調下の2次元電子系における高周波伝導率の測定(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-9 量子ホール効果ブレークダウンによる動的核スピン偏極の電流方向依存性(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28p-ZC-2 ホッピング伝導の磁気抵抗
• 28a-ZJ-8 高抵抗微粒子膜と超伝導
• 20aYF-12 量子ホール系における拡散熱電能の測定(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pHV-7 量子ホール系の熱電効果におけるモットの関係式の実験的検証(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-1 量子ホール領域における拡散慈電能の充填率依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-11 横結合型量子ドットを用いた量子ホール状態の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aYJ-8 微細孔をあけた微小超伝導体における渦糸状態の観測(28aYJ 超伝導(渦糸),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 30pTX-6 横結合型量子ドットを用いたスピン偏極の検出(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYE-5 多端子Hall crossによる微小超伝導体の渦糸状態の観測(21aYE 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 22pYF-8 半導体2次元電子系とキャパシタンス結合した超伝導単電子トランジスタの電荷状態(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-1 アンチドット周りにおけるエッジ状態のスクリーニング効果(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-4 横結合型量子ドットにおける励起状態の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWA-8 Hall Crossを用いた微小超伝導体における渦糸状態の観測(電荷密度波・超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 20pTH-1 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起
• 18pRC-8 量子ホール系における抵抗検出核磁気共鳴(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
• 31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
• 8a-N-8 奇整数量子ホール効果状態における磁気抵抗の温度依存性
• 28p-R-10 奇整数量子ホール効果状態におけるエネルギーギャップの磁場依存性
• 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
• 奇整数量子ホール効果におけるBreakdown現象I : 角度および電荷密度依存性
• 奇整数量子ホール効果状態におけるBreakdown現象II : 角度および電荷密度依存性
• 28a-YG-1 微細構造をもつ超伝導/強磁性複合膜の特性
• 20pHV-8 量子ホール効果ブレークダウンにおける核スピン偏極極性の検出(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-5 量子ホール効果ブレークダウンを利用した歪みによる電気四重極分離の観測(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-8 動的核スピン偏極によるv=2/3分数量子ホール状態のスピン相転移点シフト(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pYC-3 GaAs2次元正孔系の強局在領域における正の巨大磁気抵抗(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 17aYH-4 (Ga,Mn)Asの磁場による金属絶縁体転移
• 28aTB-4 (In,Mn)Asの軟X線吸収・発光分光
• 28aTB-1 III-V族希薄磁性半導体の金属絶縁体転移
• 22aK-11 (Ga,Mn)Asの磁場による金属絶縁体転移
• 24aC-7 (Ga, Mn)Asの成長面内における磁気異方性
• 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
• 22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pYK-5 ナノスピントロニクス素子によるスピンフィルタ(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 3p-YE-4 超伝導微粒子のSTS
• 28a-L-8 STMによる微粒子電子状態の観察
• 12p-DF-2 銅微粒子膜における電荷KT転移
• 29p-T-10 超伝導微粒子膜における電荷KTB転移
• 29a-T-9 久保効果と核磁気緩和
• 27a-P-10 試料端に変調をつけた細線の電気伝導
• 26p-P-10 微粒子膜とクーロン閉塞
• 26p-P-9 Al微小トンネル接合の臨界的振舞い
• 26a-P-13 NiAl細線の電気伝導
• 26p-ZJ-2 電子トンネル現象の実験
• 26a-ZG-1 AlGaAsのμSR
• 30a-ZC-2 久保効果とスピン軌道相互作用
• 27p-B-13 静電圧による電子位相の制御 II
• 臨界面抵抗
• 29p-ZK-8 電子位相の静電圧制御
• 29p-ZK-2 A1微小トンネル接合の実験III
• 28a-ZJ-9 久保効果とスピン散乱
• 27a-W-9 スズ微粒子薄膜の臨界抵抗
• 5a-B1-9 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性
• 超伝導微粒子のSTS III
• 26pYM-8 空間変調磁場中の超伝導ネットワーク
• 27pD-5 ランダム磁場中の2次元電子の電気伝導
• 30p-ZB-5 2次元周期磁場中の2次元電子の電気伝導
• 30p-ZB-5 2次元周期磁場中の2次元電子の電気伝導
• 8a-N-9 ポイントコンタクトを持つ2次元電子系の量子ホール効果
• 8a-N-9 ポイントコンタクトを持つ2次元電子系の量子ホール効果
• 28a-R-12 分数量子ホール状態におけるポイントコンタクト
• 28a-R-12 分数量子ホール状態におけるポイントコンタクト
• 6a-ZE-10 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性III
• 19pPSB-24 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27pXC-6 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pPSA-79 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起 III(領域 5)
• 28pPSB-8 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起II(領域4ポスターセッション)(領域4)
• 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 14aYB-9 GaAs2 次元正孔系における強相関電子固体相の磁気抵抗振動(量子ホール効果, 領域 4)
• 26aWH-9 電子フォーカシングを用いたStern-Gerlach効果の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 17aYH-5 In_Mn_xAsにおける正孔のサイクロトロン共鳴
• 31a-A-8 微小リングを含むdc-SQUIDの磁場応答
• 30p-A-4 微小超伝導体の磁束状態
• 2p-G-3 微小超伝導体中の磁束の状態
• 31a-Q-9 メゾスコピック超伝導体における磁気指紋
• リングをもつSETトランジスタの磁気抵抗
• 27aXB-8 正孔量子ホール系における非周期的抵抗ゆらぎ(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-5 正孔量子ホール系における長時間緩和を伴う磁気抵抗のヒステリシス(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-1 超短周期平面超格子の量子ホールプラトー間遷移における温度スケーリング(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pYB-11 2 層量子ホール系の温度スケーリング : 面内磁場によるトンネリング制御(量子ホール効果, 領域 4)
• 28pYG-3 2層量子ホール系の2層縮退状態における温度スケーリング(量子ホール効果(二層系・多体効果))(領域4)
• 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
• 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
• 30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
• 25a-ZB-9 永続光伝導体における超伝導近接効果
• 26a-ZB-8 電子導波管の形状効果
• 30p-TB-15 永続的光伝導による金属絶縁体転移IV
• 5a-W-3 k-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の比熱
• 30p-LB-9 高磁場中の微粒子の久保効果(低温)
• 31p-PS-146 酸化物超伝導体の超高圧・高温による処理・合成(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 28p-SC-1 スズ微笑ジョセフソン接合のI-V特性II(28p SC 低温(Heavy Fermion系,その他の超伝導))
• 30p-LB-8 AlGaAsの永続光伝導による金属非金属転移(低温)
• 30p-SC-12 永続光伝導体におけるホッピング伝導(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク