道上 修 | 岩手大学工学部
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概要
関連著者
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道上 修
岩手大学工学部
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道上 修
岩手大
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太田 靖之
岩手大
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太田 靖之
岩手大学工学部
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菊地 新司
岩手大学工学部
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橋本 健男
岩手大学工学部
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菊地 新司
岩手大学工学部 電気電子工学科
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木村 豊
岩手大
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岩瀬 彰宏
大阪府大院工
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知見 康弘
日本原子力研究所
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木村 豊
岩手大学工学部
-
若菜 裕紀
岩手大
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石川 法人
原研東海
-
岩瀬 彰宏
原研
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石川 法人
原研先端基礎
-
道上 修
岩手大学
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石川 法人
原子力機構
-
木村 豊
NTT西日本大阪病院外科
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知見 康弘
原研東海
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佐久間 純
岩手大学工学部
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知見 康弘
原研先端基礎
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太田 靖之
岩手大学
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若菜 裕紀
岩手大学工学部
-
〓 浩二
NTT基礎研
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石川 法人
原研
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知見 康弘
原研
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神原 正
理研
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大原 宏太
原子力機構
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藤原 聡
岩手大学工学部電気電子工学科
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大原 宏太
茨城大理工
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境 誠司
原子力機構
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松本 吉弘
原子力機構
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高橋 幸也
岩手大学工学部
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武蔵 慎吾
岩手大学工学部
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本橋 治彦
(株)SPring-8サービス
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長谷部 博昭
岩手大学工学部
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石川 法人
日本原子力研究開発機構
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早坂 伊織
岩手大学工学部
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大原 宏太
原子力機構:茨城大理工
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岩瀬 彰宏
大阪府立大
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知見 康弘
原子力機構
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石川 法人
日本原子力研究所
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那須 紀光
岩手大学工学部
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武藤 幸一
岩手大学工学部
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小田嶋 慎平
岩手大学工学部
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横澤 篤史
岩手大学工学部
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菊地 景大
岩手大学工学部
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宇沼 裕也
岩手大学工学部電気電子工学科
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木須 隆暢
九大
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斎藤 勇一
原子力機構
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堀 史説
大阪府立大
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木須 隆暢
九州大学大学院システム情報科学府
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粟屋 容子
理研
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岩田 忠夫
原研先端基礎研
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長田 洋
岩手大工
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前田 裕司
広島国際大
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石川 法人
原研先端研
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藤吉 孝則
熊本大学工学部
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藤吉 孝則
熊本大
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木須 隆暢
九州大
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木須 隆暢
九大・工
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木須 隆暢
九州大学大学院システム情報科学研究院電気電子システム工学部門
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木須 隆暢
九大院シス情
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前田 裕司
原研東海
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千葉 敦也
原子力機構高崎
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馬場 祐治
原研放射光科学研究センター
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斎藤 勇一
原子力機構高崎
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太田 康之
岩手大
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Neumann R.
GSI
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寺澤 倫孝
姫路工大工
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三田村 徹
姫路工大工
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吉田 豊彦
岩手大学工学部
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大塚 英男
原研
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粟谷 容子
理研
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越後谷 淳一
岩手大学工学部附属金属材料保全工学研究センター
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大塚 英男
原研核融合
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粟屋 容子
武蔵野美大
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Neumann R.
GSI研究所
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福住 正文
大阪府立大学
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関 享士郎
岩手大
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田山 典男
岩手大学工学部
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上野 善彦
岩手大学工学部
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菊地 新可
岩手大学工学部
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武藤 英樹
岩手大学工学部
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若菜 裕紀
岩手大学 工学部
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橋本 健男
岩手大学 工学部
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寺澤 倫孝
姫路工大
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宮原 邦幸
熊本大学工学部
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長田 洋
岩手大・工
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馬場 祐治
原研
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石井 修
Ntt境界領域研究所
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笹瀬 推人
原研
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知見 康弘
原研先端研
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岩瀬 彰宏
原研先端研
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宮原 邦幸
熊本大学 工学部
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三田村 徹
兵庫県立大
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前田 裕司
原研・材料研究部
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鈴木 尚文
NTT境界領域研究所
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小原 豊直
岩手大学工学部
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河内 正治
岩手大学工学部
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木須 陸暢
九州大
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岩田 忠夫
原研
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鶴 浩二
NTT境界領域研
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作間 啓太
岩手大学工学部電気電子工学科
-
福住 正文
千葉大工
-
黒田 直志
原研
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[ツル] 浩二
NTT入シ研
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三田村 徹
姫路工業大学大学院工学研究科
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越後谷 淳一
岩手大学工学部マテリアル工学科
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水島 智教
岩手大学工学部
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田山 典男
岩手大学 電気電子工学科
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益子 弘識
岩手大学工学部
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菊池 新司
岩手大学工学部
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末吉 哲郎
原研, 熊本大
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[ツル] 浩二
NTT基礎研
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橋本 健男
岩手大
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千葉 敦也
原子力機構
著作論文
- 28aSK-2 CeO_2の高エネルギーイオン照射による損傷III(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aZF-5 CeO_2の高エネルギーイオン照射による損傷II(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRB-10 CeO_2の高エネルギーイオン照射による損傷(放射線物理(固体内原子衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- rfマグネトロンスパッタリング法によるガラス基板上GaドープZnO薄膜特性のGa濃度依存性
- 対向ターゲットマグネトロンスパッタ法による大面積SmBa_2Cu_3O_薄膜の作製に関する研究
- 26pWD-6 酸化物のカーボンクラスターイオン照射効果(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aTA-11 高エネルギーX線照射した導電性セラミックスにおける原子変位過程(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- EuBa_2Cu_3O_薄膜用Sm_2O_3バッファ層の平坦化成長(電子部品・材料,及び一般)
- R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2Cu_3O_薄膜特性に及ぼすCeO_2バッファ層堆積条件の影響(電子部品・材料,及び一般)
- R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2Cu_3O_薄膜におけるCeO_2熱処理効果
- R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2C_3O_7におけるCeO_2成膜速度の効果
- 酸化物超伝導体EuBa_2Cu_3O_用MgO基板に対するCeO_2バファ層の効果
- MgO基板上への断続的スパッタによるEuBa_2Cu_3O_薄膜の作製
- バッファ層を用いたSi基板上への高T_cEBCO薄膜の作製
- CeO_2バッファ層を用いたAl_2O_3(1102)上の非c軸配向EuBa_2Cu_3O薄膜の作製
- 24aA-7 酸素欠損したEuBa_2Cu_3O_yにおける高エネルギーX線照射効果
- 29a-YD-8 イオン照射した高温超伝導体の欠陥生成における速度効果
- Ar+H_2ガス雰囲気中でのGaドープZnOスパッタ薄膜の成長
- 27pZE-3 高エネルギーイオン照射した酸化物超伝導体における欠陥生成過程
- 30p-L-7 EuBa_2Cu_3O_y薄膜における粒子線照射効果
- EuBa_2Cu_3O_薄膜用CeO_2バッファ層に対するスパッタガス圧の効果
- EuBa_2Cu_3O_厚膜用CeO_2バッファ層の厚膜化
- EuBa_2Cu_3O_厚膜用CeO_2バッファ層の厚膜化
- 23pYN-11 酸化物超伝導体におけるX線照射効果のX線エネルギー依存性
- R-Al_2O_3＼CeO_2基板上に成長した厚膜EuBa_2Cu_3O_の特性(電子部品・材料,及び一般)
- 感温磁性薄膜光センサの作製と基礎特性
- 28p-XK-13 高速重イオン照射した酸化物超伝導体における電子励起と柱状欠陥生成
- CeO_2バッファ層を用いたAl_2O_3(11^^-02)上のエピタキシャルEuBa_2Cu_3O_7薄膜の作製
- CeO_2バッファ層の熱処理によるEuBa_2Cu_3O_薄膜への影響(電子部品・材料,及び一般)
- スパッタ法によるA-Al_2O_3上ZnO薄膜の平坦化成長(電子部品・材料,及び一般)
- 厚膜Sm_2O_3バッファ層上に成長したEuBa_2Cu_3O_薄膜の超伝導特性
- マグネトロンスパッタリングで作製した厚膜CeO_2バッファ層の表面性状の制御
- R-Al_2O_3基板上EuBa_2Cu_3O_薄膜の超伝導特性及び結晶成長に対する厚膜CeO_2バッファ層の表面性状の影響
- 7p-M-12 重イオン照射したEuBa_2Cu_3O_y薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- 酸化物超伝導焼結体の接続法
- 対向ターゲットマグネトロンスパッタ法を用いた大型超伝導薄膜に対する熱処理の効果
- 対向ターゲットマグネトロンスパッタ法を用いた大型超伝導薄膜に対する熱処理の効果