CeO_2バッファ層を用いたAl_2O_3(1102)上の非c軸配向EuBa_2Cu_3O<7-δ>薄膜の作製
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概要
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CeO_2をバッファ層として用いたAl_2O_3(1102)基板上のEuBa_2Cu_3O<7-δ>(EBCO)薄膜の配向制御と面内配向関係を調べた。CeO_2とEBCOはそれぞれRF、DCマグネトロンスパッタリング法を用いて作製し、X線回折装置(XRD)、原子間力顕微鏡(AFM)、高速電子線回折装置(RHEED)で解析した。EBCO薄膜は、CeO_2バッファ層の膜厚が30〜100Åでa軸配向し、700Å以上で(110)配向を示した。CeO_2が50Å上でa軸配向EBCO薄膜のT_<ce>は、83.6Kを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-28
著者
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