EuBa_2Cu_3O_<7-δ>厚膜用CeO_2バッファ層の厚膜化
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概要
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RFマグネトロンスパッタリング法を用いた(001)配向CeO_2,バッファ層の膜厚が400Åのとき、R-Al_2O_3基板上では(111)ファセットを伴う成長をする。(111)ファセットを伴うCeO_2バッファ層上のEuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO)薄膜は、非c軸配向してしまい超伝導特性に悪影響を及ぼす。本研究では厚膜CeO_2バッファ層の(111)ファセットの抑制を試みた。最適条件で成膜速度(R_d)を上げることにより、均一で微細なグレインのファセットが抑制されたCeO_2バッファ層が得られ、10000Åと厚く堆積させても(111)ファセットは発生しなかった。その上に成長したEBCO薄膜は最大で、臨界温度(T_c)=91Kを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-31
著者
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