R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2C_3O_7におけるCeO_2成膜速度の効果
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概要
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Al_2O_3基板上へRFマグネトロンスパッタ法によりCeO_2をバッファ層として堆積させ、c軸配向EuBa_2Cu_3O_7(EBCO)薄膜を作製した。CeO_2バッファ層の成膜速度(Rd)、膜厚の変化によるEBCO薄膜の表面性状、臨界温度(T_<ce>)、77Kにおける臨界電流密度(J_c)について検討した。Rd=7.91Å/minではCeO_2の膜厚が約50〜1500Åにおいて、Rd=58.1Å/minでは50〜3000ÅにおいてEBCOはT_<ce>=88K以上を示した。また、J_cにおいても成膜速度を早くすることにより向上し、Rd=58.1Å/min、CeO_2バッファ層の膜厚が300〜20000Åにおいて5×10^6A/cm^2以上を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-01
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