R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜特性に及ぼすCeO_2バッファ層堆積条件の影響(電子部品・材料,及び一般)
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概要
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本研究ではR-Al_2O_3基板のon-axis、CeO_2ターゲットのon-axisとの間のoff-center距離(D_<off>)を0〜60mmまで変化させ、CeO_2薄膜の厚さ3000Åにおいてどのような表面状態や結晶性が得られるかを調べた。結果、30mm時に結晶粒が微細で平坦な膜が得られ、その上に堆積させた酸化物超伝導体薄膜EuBa_2Cu_3O_<7-δ>は超伝導臨界温度(T_c)が約88.5 K、超伝導臨界電流密度(J_c)が約3.5 MA/cm^2 の値を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-30
著者
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