CeO_2バッファ層を用いたサファイア基板上のPrBa_2Cu_3O_7薄膜の作製と評価
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概要
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膜厚50ÅのCeO_2バッファを用いたサファイア基板上にPrBa_2Cu_3O_7(PBCO)テンプレート層を導入し、a-, b-軸配向EuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO)薄膜の高T_c化を行った。成膜速度(R_d)の増加に伴いPBCO薄膜は、c軸配向からa軸配向に移行する傾向を示した。7Pa (Ar+20%O_2)及びT_s=620℃条件の下では、R_d≧30Å/minでa軸配向薄膜が得られた。7Pa (Ar+20%O_2)及びR_d=35Å/minの条件の下では、T_s=560~630℃でa軸配向PBCO薄膜が成長した。a-, b-軸配向EBCOの基板温度は、700Å以上のa軸配向PBCO上では、CeO_2(001)上より、約30℃上昇した。1000ÅのPBCO上に、7Pa (Ar+20%O_2)及びT_s=650℃の条件で、スパッタした2000Åのa-, b-軸配向EBCO薄膜は、86.7KのT_<ce>を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-30
著者
-
道上 修
岩手大
-
菊地 新司
岩手大学工学部
-
若菜 裕紀
岩手大
-
若菜 裕紀
岩手大学 工学部
-
橋本 健男
岩手大学 工学部
-
菊地 新司
岩手大学 工学部
-
道上 修
岩手大学 工学部
-
菊地 新司
岩手大学工学部 電気電子工学科
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