rfマグネトロンスパッタリング法によるガラス基板上GaドープZnO薄膜特性のGa濃度依存性
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概要
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rfマグネトロンスパッタリング法によりGaドープZnO(GZO)膜をガラス基板上に作製した。Ga濃度及び基板温度の変化が、GZO薄膜の結晶構造、表面性状及び電気的、光学的特性に与える影響について調べた。GZO膜の結晶構造は六方晶系ウルツ鉱型であり、基板と垂直にc軸配向した。本研究において最も低い抵抗率は5.2×10^<-4> Ω・cmであった。このときの条件はGa濃度が3.34wt.%、基板温度が150℃である。可視光平均透過率は全ての膜において約90%であった。
- 2006-07-31
著者
-
道上 修
岩手大
-
菊地 新司
岩手大学工学部
-
道上 修
岩手大学工学部
-
那須 紀光
岩手大学工学部
-
長谷部 博昭
岩手大学工学部
-
武藤 幸一
岩手大学工学部
-
菊地 新司
岩手大学工学部 電気電子工学科
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