R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜におけるCeO_2熱処理効果
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概要
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R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜の表面性状、結晶性、電気的特性におけるCeO_2バッファ層への熱処理効果を調べた。R-Al_2O_3基板上にRFマグネトロンスパッタリング法により堆積させたCeO_2バッファ層に熱処理を施し、その後DCマグネトロンスパッタリング法によりEuBa_2Cu_3O_<7_δ>(EBCO)薄膜を堆積させた。700℃以上の熱処理温度(T_a)においてCeO_2バッファ層の表面粗さに一桁程の改善が見られた。それに伴い、CeO_2バッファ層上のEBCO薄膜の表面粗さにも改善が見られた。臨界温度(T_c)は、CeO_2バッファ層への熱処理の有無に関わらず、約90Kだった。臨界電流密度(J_c)は、CeO_2バッファ層へ熱処理を施した結果、約4.5×10^6A/cm^2となり、熱処理無しの試料に比べも大きな値を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-01
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