R-Al_2O_3＼CeO_2基板上に成長した厚膜EuBa_2Cu_3O_<7-δ>の特性(電子部品・材料,及び一般)
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概要
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R-Al_2O_3＼CeO_2基板上にDCマグネトロンスパッタ法によりEuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO)薄膜を作製した。CeO_2バッファ層の膜厚を変化させ、その上に厚膜EBCOを堆積させたときの表面性状、マイクロクラックの有無、結晶性、臨界温度(T_c)、77Kにおける臨界電流密度(J_c)を調べた。T_cはCeO_2やEBCO薄膜の膜厚に関わらず、約90Kを示した。しかしながらCeO_2を1000Åまで厚くしても厚膜EBCO表面のマイクロクラックの抑制には至らなかった。J_cは1000ÅのCeO_2、2000ÅのEBCO薄膜のとき5×10^6 A/cm^2 と最も高い値を示した。
- 2004-07-30
著者
-
道上 修
岩手大
-
太田 靖之
岩手大
-
菊地 新司
岩手大学工学部
-
道上 修
岩手大学工学部
-
太田 靖之
岩手大学工学部
-
橋本 健男
岩手大学工学部
-
菊地 新司
岩手大学工学部 電気電子工学科
-
早坂 伊織
岩手大学工学部
-
菊池 新司
岩手大学工学部
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