CeO_2バッファ層を用いたAl_2O_3(11^^-02)上のエピタキシャルEuBa_2Cu_3O_7薄膜の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Al_2O_3(11^^-02)基板上のCeO_2のエピタキシャル成長と, 上層のEuBa_2Cu_3O_7(EBCO)の成長方位と超伝導性に与えるCeO_2バッファ層の効果を調べた. CeO_2とEBCOはそれぞれRF, DCマグネトロンスパッタリング法を用いて作製し, X線回折装置(θ-2θスキャン, φスキャン), 原子間力顕微鏡(AFM)で解析した. エピタキシャル(100)配向のCeO_2が50〜400Åの膜厚のとき, 上層のEBCO薄膜は, T_<oe>が90K以上を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-30
著者
関連論文
- 28aSK-2 CeO_2の高エネルギーイオン照射による損傷III(28aSK 放射線物理(放射線損傷・電離・イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aZF-5 CeO_2の高エネルギーイオン照射による損傷II(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRB-10 CeO_2の高エネルギーイオン照射による損傷(放射線物理(固体内原子衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- rfマグネトロンスパッタリング法によるガラス基板上GaドープZnO薄膜特性のGa濃度依存性
- 対向ターゲットマグネトロンスパッタ法による大面積SmBa_2Cu_3O_薄膜の作製に関する研究
- 26pWD-6 酸化物のカーボンクラスターイオン照射効果(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aTA-11 高エネルギーX線照射した導電性セラミックスにおける原子変位過程(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- EuBa_2Cu_3O_薄膜用Sm_2O_3バッファ層の平坦化成長(電子部品・材料,及び一般)
- R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2Cu_3O_薄膜特性に及ぼすCeO_2バッファ層堆積条件の影響(電子部品・材料,及び一般)
- R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2Cu_3O_薄膜におけるCeO_2熱処理効果
- R-Al_2O_3＼CeO_2＼EuBa_2C_3O_7におけるCeO_2成膜速度の効果
- 酸化物超伝導体EuBa_2Cu_3O_用MgO基板に対するCeO_2バファ層の効果
- MgO基板上への断続的スパッタによるEuBa_2Cu_3O_薄膜の作製
- バッファ層を用いたSi基板上への高T_cEBCO薄膜の作製
- CeO_2バッファ層を用いたサファイア基板上のPrBa_2Cu_3O_7薄膜の作製と評価
- CeO_2バッファ層を用いたAl_2O_3(1102)上の非c軸配向EuBa_2Cu_3O薄膜の作製
- 24aA-7 酸素欠損したEuBa_2Cu_3O_yにおける高エネルギーX線照射効果
- 29a-YD-8 イオン照射した高温超伝導体の欠陥生成における速度効果
- ILOM (In-situ Lunar Orientation Measurement) 望遠鏡の技術的可能性
- Ar+H_2ガス雰囲気中でのGaドープZnOスパッタ薄膜の成長
- 27pZE-3 高エネルギーイオン照射した酸化物超伝導体における欠陥生成過程
- 30p-L-7 EuBa_2Cu_3O_y薄膜における粒子線照射効果
- 15p-E-1 酸化物超伝導薄膜の結晶構造のイオン照射効果
- 27a-PS-49 酸化物超伝導体のピニング特性のHeイオン照射効果
- EuBa_2Cu_3O_薄膜用CeO_2バッファ層に対するスパッタガス圧の効果
- EuBa_2Cu_3O_厚膜用CeO_2バッファ層の厚膜化
- EuBa_2Cu_3O_厚膜用CeO_2バッファ層の厚膜化
- 23pYN-11 酸化物超伝導体におけるX線照射効果のX線エネルギー依存性
- R-Al_2O_3＼CeO_2基板上に成長した厚膜EuBa_2Cu_3O_の特性(電子部品・材料,及び一般)
- 30p-PSA-30 高温超伝導体の微細環集合に於ける特性測定(IV)
- 感温磁性薄膜光センサの作製と基礎特性
- 28p-XK-13 高速重イオン照射した酸化物超伝導体における電子励起と柱状欠陥生成
- CeO_2バッファ層を用いたAl_2O_3(11^^-02)上のエピタキシャルEuBa_2Cu_3O_7薄膜の作製
- CeO_2バッファ層の熱処理によるEuBa_2Cu_3O_薄膜への影響(電子部品・材料,及び一般)
- スパッタ法によるA-Al_2O_3上ZnO薄膜の平坦化成長(電子部品・材料,及び一般)
- 17pTD-11 酸素制御したEu Ba_2Cu_3O_における高エネルギーイオン照射による電子励起効果
- 厚膜Sm_2O_3バッファ層上に成長したEuBa_2Cu_3O_薄膜の超伝導特性
- マグネトロンスパッタリングで作製した厚膜CeO_2バッファ層の表面性状の制御
- R-Al_2O_3基板上EuBa_2Cu_3O_薄膜の超伝導特性及び結晶成長に対する厚膜CeO_2バッファ層の表面性状の影響
- 7p-M-12 重イオン照射したEuBa_2Cu_3O_y薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- 弱結合アレイ素子のマイクロ波特性
- 酸化物超伝導焼結体の接続法
- 30a-N-1 イオン照射した高温超伝導体のc軸長変化と電子励起効果
- 対向ターゲットマグネトロンスパッタ法を用いた大型超伝導薄膜に対する熱処理の効果
- 対向ターゲットマグネトロンスパッタ法を用いた大型超伝導薄膜に対する熱処理の効果
- 2p-P-12 重イオン照射した高温超伝導体の電気抵抗測定による柱状欠陥構造の研究
- 6pWE-6 30MeV C_照射した酸化物超伝導体におけるクラスタービーム照射効果(放射線物理,領域1)
- 9aSL-3 蛍光X線ホログラフィーによる高温酸化物超伝導体の格子欠陥構造の評価II((X線)X線・粒子線,領域10)
- 27aWG-11 蛍光X線ホログラフィーによる高温酸化物超伝導体の格子欠陥構造の評価(27aWG X線・粒子線,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))