MgO基板上への断続的スパッタによるEuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜の作製
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概要
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断続的マグネトロンスパッタリングによって、MgO基板上にEuBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜の堆積を行い、seed layerにおけるEuBa_2Cu_3O_<7-δ>の成長や表面状態への影響を調べた。薄膜の堆積温度やseed layerの膜厚が、面内配向性、結晶粒の状態や表面粗さに及ぼす効果について明らかにした。その結果、seed layerを用いない従来の方法で作製した薄膜と比較して、臨界温度は変わらず、面内配向性は改善し、表面は平坦化した。また、これらの効果はseed layerの堆積温度や膜厚に依存した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-01
著者
-
道上 修
岩手大
-
太田 靖之
岩手大
-
菊地 新司
岩手大学工学部
-
道上 修
岩手大学工学部
-
太田 靖之
岩手大学工学部
-
橋本 健男
岩手大学工学部
-
小田嶋 慎平
岩手大学工学部
-
菊地 新司
岩手大学工学部 電気電子工学科
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