Ar+H_2ガス雰囲気中でのGaドープZnOスパッタ薄膜の成長
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概要
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RFマグネトロンスパッタ法により、ガラス基板上に作製したGaドープZnO(GZO)薄膜の表面性状、結晶性、透過率及び、室温で測定した抵抗率(ρRT)において、成膜時の基板温度(T_s)及び、H_2ガス添加の効果を調べた。純Arで作製したGZO薄膜では0.3Pa、T_s=100℃のスパッタ条件において、ρRT=7.58×10^<-4> Ωcmであったが、スパッタガスにH_2ガスを1%添加することにより、ρRT=3.79×10^<-4>Ωcmの薄膜が得られた。透過率は水素添加の有無にかかわらず、約90%と良好な値を示した。
- 2006-07-31
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