マグネトロンスパッタリングで作製した厚膜CeO_2バッファ層の表面性状の制御

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概要

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CeO_2をバッファ層として用いたR-Al_2O_3基板は高温超伝導薄膜の作製において有望である。しかし、バッファ層の表面性状がその上に堆積した超伝導薄膜の超伝導特性に大きく影響を与える。厚膜CeO_2バッファ層の表面性状を制御するため、スパッタリングを用いたバッファ層作製時の成長条件(off-center距離(D_<off>)、基板温度(T_s))について検討を行った。その結果、CeO_2バッファ層の表面性状はof-center距離、基板温度に大きく依存した。D_<off>=30mm、T_s=650℃の条件で作製したCeO_2バッファ層では、最も平坦で微細な結晶粒が成長した。更にその上に成長したEuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO)薄膜の結晶性は、c軸配向のみを示した。D_<off>=40mm以上ではバッファ層表面においてファセットが観察され、EBCO薄膜は非c軸配向が観察された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-07-31

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