宮原 邦幸 | 熊本大学工学部
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概要
関連著者
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宮原 邦幸
熊本大学工学部
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藤吉 孝則
熊本大学工学部
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藤吉 孝則
熊本大学
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末吉 哲郎
熊本大学工学部
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宮川 隆二
熊本県工業技術センター
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末吉 哲郎
熊本大
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池上 知顯
熊本大学工学部
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蛯原 健治
熊本大学工学部
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蛯原 健二
熊本大学工学部
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蛯原 健治
熊本大学
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日本原子力研究所
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蛯原 健治
(株)同仁化学研究所
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石川 法人
日本原子力研究所
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末吉 哲郎
熊本大学
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宮原 邦幸
熊本大学 工学部
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藤吉 孝則
熊本大学情報電気電子工学科
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池上 知顯
熊本大学
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春田 正和
産業技術総合研究所
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春田 正和
熊本大学工学部
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木須 陸暢
九州大
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木須 隆暢
九大
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藤吉 孝則
熊本大
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木須 隆暢
九大・工
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木須 隆暢
九州大学大学院システム情報科学研究院電気電子システム工学部門
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木須 隆暢
九大院シス情
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岩瀬 彰宏
大阪府大院工
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石川 法人
原研東海
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知見 康弘
原研東海
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岩瀬 彰宏
原研
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石川 法人
原研先端基礎
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知見 康弘
原研先端基礎
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渡辺 和雄
東北大学金研・強磁場センター
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淡路 智
東北大学金研・強磁場センター
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木須 隆暢
九州大
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知見 康弘
日本原子力研究開発機構安全研究センター
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渡辺 和雄
東北大学金属材料研究所
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淡路 智
東北大学金属材料研究所
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木須 隆暢
九州大学大学院システム情報科学府
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稲田 俊介
熊本大学工学部
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土井 俊哉
鹿児島大学工学部
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土井 俊哉
鹿児島大学理工
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北口 仁
物質材料研究機構
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藤吉 孝則
熊本大学 工学部
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米村 洋幸
熊本大学工学部
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三野 辰彦
熊本大学工学部
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末吉 哲郎
原研
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土井 俊哉
鹿児島大学大学院理工学研究科
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松原 孝行
熊本大学工学部
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石川 法人
原子力機構
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佐藤 直哉
熊本大学工学部
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知見 康弘
原子力機構
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上野 剛
熊本大学工学部
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久保田 弘
熊本大学工学部
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藤吉 孝則
熊本大工
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高橋 献一
熊本大学工学部
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平湯 直志
熊本大学工学部
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城台 憲人
熊本大工
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宮原 邦幸
熊本大工
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仲田 浩一郎
熊本大学 工学部
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川村 浩和
熊本大学工学部電気情報工学科
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松原 孝行
熊本大学工学部電気情報工学科
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城台 憲人
熊本大学工学部
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木須 隆暢
九州大学 大学院システム情報科学研究院
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渡辺 和雄
東北大金研強磁場セ
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淡路 智
東北大
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淡路 智
東北大金研
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物材機構
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淡路 智
東北大学 金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター
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藤吉 孝則
熊大工
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道上 修
岩手大
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松永 崇
熊本大学工学部
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木須 隆暢
九州大学 大学院システム情報科学研究院 電気システム工学部門
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道上 修
岩手大学工学部
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久保田 弘
熊本大学 大学院 自然科学研究科
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山形 幸彦
熊本大学
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蔵満 健二
熊本大学工学部
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渡辺 和雄
東北大学 金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター
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渡辺 和雄
東北大金研
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渡邉 昌貴
熊本大学工学部
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渡邊 昌孝
熊本大学工学部
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春田 正和
熊本大学大学院自然科学研究科博士後期課程(システム情報科学専攻)
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末吉 哲郎
熊本大工
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春田 正和
熊本大工
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土井 俊哉
鹿児島大工
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原口 誠
熊本大学工学部
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〓 浩二
NTT基礎研
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石橋 康弘
熊本大学工学部
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國廣 吉永
熊本大学工学部
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木崎原 智仁
熊本大学工学部
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熊本大学工学部
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熊本大学工学部
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池上 知顕
熊本大学工学部
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松原 孝行
熊本大学 工学部
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中央学院大商
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栗崎 聡哉
熊本大学工学部
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熊本大工
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木須 孝暢
九州大
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久保田 弘
熊本大学 工学部
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藤吉 孝則
熊大・工
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宮原 邦幸
熊大
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末吉 哲郎
原研, 熊本大
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[ツル] 浩二
NTT基礎研
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石川 法人
原研
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木須 隆暢
九州大学大学院 システム情報科学研究院
-
知見 康弘
原研
著作論文
- 高温超伝導体のピンニング・パラメータに対する柱状欠陥の影響
- PLD法で作製したZnO/YBa_2Cu_3O_多層膜の磁束ピンニング特性
- PLD法で作製した ZnO/YBa2Cu3O7-δ 多層膜の磁束ピンニング特性
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜におけるピンニング特性の印加磁場角度依存性
- 柱状欠陥を導入したYBCO薄膜におけるピンニングパラメータの磁場角度依存性
- 酸素雰囲気中で作製したMgB_2薄膜の磁束ピンニング特性
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜のピンニング特性(II)
- 高温超伝導体におけるピンニングパラメータの重イオン照射量依存性(2)
- 高温超伝導体の臨界温度および磁束ピンニングに対する中性子照射効果
- 高温超伝導体の電流-電圧特性に与える中性子照射損傷の影響
- 高温超伝導体の電流-電圧特性に対する柱状欠陥密度の影響
- 中性子照射による酸化物超伝導体の臨界電流密度への影響(2)
- 酸化物超伝導体における中性子照射による臨界電流密度への影響
- 酸化物高温超伝導体における不可逆線と異方性
- Y系超伝導体における不可逆温度とピンポテンシャル
- 重イオン照射した YBa2Cu3O7-δ 薄膜における柱状欠陥の印加磁場角度特性
- YBa_2Cu_3O_薄膜における輸送特性への splayed defects の効果(2)
- 溶融法Y系バルク試料における通電特性
- 高温超伝導体におけるピンニングパラメータの重イオン照射量依存性
- 高温超伝導体のピンニングパラメータに対する傾斜柱状欠陥の影響
- 高磁場下における高温超伝導体の電流-電圧特性に対する柱状欠陥の影響
- 高温超伝導体の電流-電圧特性に及ぼす柱状欠陥の影響
- Y系超伝導体における光応答と量子化磁束の運動
- 高温超伝導体における量子化磁束の光励起運動
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜のピンニング特性
- 28a-Q-12 Y-系およびBi-系超伝導体の熱拡散率
- 24pYP-10 Y系高温超伝導体における重イオンスプレー照射効果
- 25p-YB-5 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_y薄膜の輸送特性
- YBa_2Cu_3O_y薄膜における輸送特性への splayed defect の効果
- 30p-R-9 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_y薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- 7p-M-12 重イオン照射したEuBa_2Cu_3O_y薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- ピーク効果を示す高温超伝導体の磁化特性における外部磁場掃引速度依存性
- 高温超伝導体における磁化の外部磁場掃引速度依存性とピーク効果
- 高温超伝導体の電気的輸送特性におけるスプレイド柱状欠陥の磁束ピンニング効果