高温超伝導体の臨界温度および磁束ピンニングに対する中性子照射効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2002-10-30
著者
-
藤吉 孝則
熊本大学工学部
-
松永 崇
熊本大学工学部
-
藤吉 孝則
熊本大学
-
宮川 隆二
熊本県工業技術センター
-
末吉 哲郎
熊本大学工学部
-
宮原 邦幸
熊本大学工学部
-
池上 知顯
熊本大学工学部
-
蛯原 健治
熊本大学工学部
-
稲田 俊介
熊本大学工学部
-
蛯原 健二
熊本大学工学部
-
蛯原 健治
(株)同仁化学研究所
-
蛯原 健治
熊本大学
関連論文
- (60)学生投票による教育評価の試み(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
- 交差した柱状欠陥を導入したYBCO薄膜の臨界電流密度の磁場角度依存性
- BaZrO_3, YSZを用いたYBCO擬似多層膜の磁束ピンニング特性
- 様々に傾いた柱状欠陥を含むYBCO薄膜の臨界電流密度の磁場角度依存性
- YBCO超伝導薄膜の輸送特性に対する柱状欠陥の影響
- Tiバッファ層を導入したMgB_2薄膜のピンニング特性
- MBE法で作製した高 J_c as-grown MgB_2 薄膜の磁束ピンニング特性
- 柱状欠陥を導入したYBa_2Cu_3O_y超伝導薄膜における電界-電流密度特性の磁場角度依存性
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2/Ni多層薄膜の磁束ピンニング特性
- 電子ビーム蒸着法で作製したMgB_2/Ni多層膜の2次元磁束ピンニング特性
- パルスレーザデポジション法による有機発光薄膜の作製
- 人工ピンを導入したREBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- 真空中のレーザアブレーションにより生成されたカーボンプラズマプルームの計測
- 高温超伝導体のピンニング・パラメータに対する柱状欠陥の影響
- 会議報告 20th international symposium on superconductivity
- 高温超伝導体の交流損失におけるピンニングパラメータの影響
- 酸化物高温超伝導体の磁束グラス-液体転移温度付近における交流履歴損失-交流履歴損失に対する簡便な理論式-
- 高温超伝導体の磁束グラス-液体転移温度近傍における内部磁束分布と交流損失
- 第三高調波電圧誘導法を用いた高温超伝導体の臨界電流密度の非破壊測定
- 電子ビーム蒸着法によってAlテープ基板上に作製したMgB2薄膜の輸送特性
- 照射柱状欠陥を導入したYBa2Cu3Oy薄膜の高磁場における輸送特性 (強磁場超伝導の研究--高温超伝導体)
- MBE法で作製したTiバッファ層を用いたMgB2薄膜のピンニング特性
- ナノロッドを含むREBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- EBE法によって作製された MgB2/Ni 多層膜の磁束ピンニング特性
- MBE法によるTiバッファMgB2薄膜の磁束ピンニング特性 (強磁場超伝導の研究--低温超伝導体)
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2/Ni多層薄膜の磁束ピンニング特性
- 超伝導混合状態におけるn値とピン力分布の関係
- MgB2/Ni多層薄膜の強磁場下における磁束ピンニング特性 (強磁場超伝導の研究--低温超伝導体)
- PLD法で作製した高温超伝導多層膜の磁束ピンニング特性
- PLD法で作製したZnO/YBa_2Cu_3O_多層膜の磁束ピンニング特性
- PLD法で作製した ZnO/YBa2Cu3O7-δ 多層膜の磁束ピンニング特性
- BZOナノロッドを導入したErBCO薄膜の磁束ピンニング特性(2)
- Si基板上MgB_2薄膜の磁束ピンニング特性に対する酸素導入効果
- BZOナノロッドを導入したErBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- EBE法により作製したSi基板上MgB2薄膜における磁束ピンニング特性 (強磁場超伝導の研究--低温超伝導体)
- 柱状欠陥を導入したYBCO薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- BaZrO3ナノロッドを有するErBa2Cu3O7-δ薄膜のピンニング特性
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜におけるピンニング特性の印加磁場角度依存性
- 柱状欠陥を導入したYBCO薄膜におけるピンニングパラメータの磁場角度依存性
- 人工ピンを導入したSmBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- 酸素雰囲気中で作製したMgB_2薄膜の磁束ピンニング特性
- 人工ピンを導入したREBCO薄膜の磁束ピンニング特性
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜のピンニング特性(II)
- 人工ピンを導入したSmBCO薄膜の磁束ピンニング特性 (強磁場超伝導の研究--高温超伝導)
- 高温超伝導体におけるピンニングパラメータの重イオン照射量依存性(2)
- 学生の投票による教育評価・改善の試み
- 高温超伝導体における臨界電流密度の温度・磁界依存性に関するスケーリング則
- 高温超伝導体における電圧-電流特性に対するピン力分布の影響
- 高温超伝導体の臨界温度および磁束ピンニングに対する中性子照射効果
- 高温超伝導体の電流-電圧特性に与える中性子照射損傷の影響
- 高温超伝導体の電流-電圧特性に対する柱状欠陥密度の影響
- 強磁場下における高温伝導薄膜の電流-電圧特性に対する重イオン照射効果 (強磁場超伝導の研究--酸化物)
- イオン感応性FET味覚センサによる味の相互作用の検出
- 中性子照射による酸化物超伝導体の臨界電流密度への影響(2)
- 酸化物超伝導体における中性子照射による臨界電流密度への影響
- 高温超伝導体における量子化磁束の光励起運動
- 「新しい超伝導体の基礎物性とその応用」
- 酸化物高温超伝導体における不可逆線と異方性
- Y系超伝導体における不可逆温度とピンポテンシャル
- CMFFによるFG-MOSFET電流モード積分器のCMRR改善に関する一検討
- 第2相物質を用いた YBa2Cu3O7-δ 多層膜の磁束ピンニング特性
- 重イオン照射した YBa2Cu3O7-δ 薄膜における柱状欠陥の印加磁場角度特性
- YBa_2Cu_3O_薄膜における輸送特性への splayed defects の効果(2)
- 溶融法Y系バルク試料における通電特性
- 高温超伝導体におけるピンニングパラメータの重イオン照射量依存性
- 高温超伝導体のピンニングパラメータに対する傾斜柱状欠陥の影響
- 高磁場下における高温超伝導体の電流-電圧特性に対する柱状欠陥の影響
- 高温超伝導体の電流-電圧特性に及ぼす柱状欠陥の影響
- 塗布熱分解法により作製した仮焼成膜の成分分布評価
- CeO_2層間絶縁膜を用いたビア及びクロスオーバーの作製
- 高温超伝導体における磁束線の弾性相関と電流-電圧特性
- Y系超伝導体における光応答と量子化磁束の運動
- 高温超伝導体における量子化磁束の光励起運動
- 電子ビーム蒸着法で作製したMgB2薄膜のピンニング特性
- RF スパッタリング法により作製された MgB_2 薄膜のピンニング特性
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜のピンニング特性
- MgB2薄膜のにおける磁束ピンニングの強磁場特性 (強磁場超伝導の研究--低温超伝導体)
- 高温超伝導薄膜のピンニング・パラメータに対する柱状欠陥の影響
- 高温超伝導体のピンニング状態における磁化緩和特性
- 強磁場下における高温超伝導薄膜の電流-電圧特性に対する重イオン照射効果 (強磁場超伝導の研究--高温超伝導体)
- FET味覚センサの開発
- 28a-Q-12 Y-系およびBi-系超伝導体の熱拡散率
- 高温超伝導体の磁束グラス-液体転移温度付近における電流-電圧特性
- 高温超伝導体における抵抗転移と熱磁気効果
- 24pYP-10 Y系高温超伝導体における重イオンスプレー照射効果
- 25p-YB-5 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_y薄膜の輸送特性
- 酸化物高温超伝導体における低周波交流損失(2) : 等価臨界電流密度を規定するパラメータの影響
- 酸化物高温超伝導体における低周波交流損失(1) : ピンニング・パラメータ依存性について
- YBa_2Cu_3O_y薄膜における輸送特性への splayed defect の効果
- 30p-R-9 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_y薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- 7p-M-12 重イオン照射したEuBa_2Cu_3O_y薄膜における臨界電流密度の磁場角度依存性
- 強磁場下における高温超伝導薄膜の電流--電圧特性に対する重イオン照射効果 (強磁場超伝導の研究--酸化物)
- ピーク効果を示す高温超伝導体の磁化特性における外部磁場掃引速度依存性
- Alテープ上への超伝導MgB_2薄膜の作製と特性評価
- 高温超伝導体における磁化の外部磁場掃引速度依存性とピーク効果
- 高温超伝導体の電気的輸送特性におけるスプレイド柱状欠陥の磁束ピンニング効果
- 衝撃固化法ターゲットを用いたPLD法YBa2Cu3Oy薄膜の輸送特性
- AIテープ基板上に作製した無添加MgB2薄膜の輸送特性
- 電子ビーム蒸着法によってAIテープ基板上に作製したMgB2薄膜の輸送特性
- 第三高調波電圧誘導法を用いた高温超電導薄膜の磁場中臨界電流密度の測定