小森 文夫 | 東大理
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概要
関連著者
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小森 文夫
東大理
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小森 文夫
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佐々木 亘
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東大物性研
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大塚 洋一
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大塚 洋一
東大低温センター
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勝本 信吾
東大物性研
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大熊 哲
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池畑 誠一郎
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神田 晶申
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中村 昭彦
東大理
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小林 俊一
理研
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福田 共和
東大核研
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橋本 治
東大核研
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野村 亨
KEK
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池田 伸夫
東大核研
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野村 亨
東大核研
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山崎 敏光
東大核研
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池田 伸夫
九州大学理学部
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神田 晶申
理化学研究所
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安藤 陽一
東大理
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中山 洋子
東大理
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安藤 陽一
阪大産研
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青木 秀夫
東大理
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栗田 敬
東大理
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大嶋 卓
日立中研
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中山 洋子
東大物性研
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木下 恭一
NTT基礎研
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山田 智秋
NTT基礎研
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後藤 貴行
東大理
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藤井 敏嗣
東大地震研
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岡本 冬樹
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熊澤 峰夫
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広瀬 賢二
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水口 寛二
東大・理
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水口 寛二
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江間 泰示
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石井 隆生
NTT基礎研究所
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松井 誠
日立中研
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藤本 信吾
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小田 信之
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小林 俊
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竹谷 純一
東大理
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岡添 冬樹
東大理
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石井 隆生
NTT基礎研
著作論文
- 31p-Y-4 アルミニウム微粒子膜とh/4e^2
- 5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
- 31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
- 5a-B1-8 スズのジョセフソンネットワークにおける臨界面抵抗
- 5a-B1-9 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性
- Al微小トンネル接合のI-V特性
- 6a-ZE-10 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性III
- 5p-B2-7 銅微粒子中における核スピン緩和の異常
- 26p-J-3 金属域((CH)_y (CIO_4)_)_xのスピン帯磁率の温度依存性
- 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
- 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
- 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
- 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
- 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
- 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
- 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
- 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
- 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
- 30a-HE-6 ビスマス薄膜におけるアンダーソン局在
- 30p-TB-15 永続的光伝導による金属絶縁体転移IV
- 28a-Q-2 AlGaAsの永続光伝導による金属非金属転移 II
- 2a-C-4 微粒子薄膜の電気伝導 IV : 磁性不純物効果
- 超微粒子, アグネ技術センター, 東京, 1984, iv+174ページ, 26×18.5cm, 3,500円 (固体物理・金属物理セミナー別冊特集号).
- 3p-RM-5 積層微粒子薄膜の電気伝導II
- 12p-K-4 4金属薄膜の実験
- 30a-LB-6 超伝導膜の金属非金属転移(低温)
- 28a-LC-9 大量にドープした(CH)_xの低温における電気伝導(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 30a-CQ-6 Bi薄膜の金属・非金属転移(低温)
- 31p-PS-146 酸化物超伝導体の超高圧・高温による処理・合成(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 1p-L4-1 アルミニウム単結晶薄膜の超伝導(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 2p-D4-10 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの極低温電気伝導(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 31a-B1-9 積層微粒子薄膜における金属・非金属転移(31a B1 低温)
- 1p-L4-6 NiSi_2単結晶薄膜における2次元弱局在と非弾性散乱時間(低温(薄膜・細線の電気伝導))
- 28p-SC-1 スズ微笑ジョセフソン接合のI-V特性II(28p SC 低温(Heavy Fermion系,その他の超伝導))
- 30a-CQ-5 ピスマス膜中の電子の非弾性散乱時間(低温)
- 30p-LB-8 AlGaAsの永続光伝導による金属非金属転移(低温)
- 30p-SC-12 永続光伝導体におけるホッピング伝導(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))