26p-J-3 金属域((CH)_y (CIO_4)_<1-y>)_xのスピン帯磁率の温度依存性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1987-09-16

著者

• 小森 文夫

  東大理

• 池畑 誠一郎

  東大理

• 小田 信之

  東大理

• 小森 文夫

  東大

関連論文

• 27a-ZB-3 アルミニウム微粒子膜と臨界面抵抗II
• 31p-Y-4 アルミニウム微粒子膜とh/4e^2
• 2p-B-7 アルカリドープしたペンタセンの静帯滋率
• 27a-K-13 アルカリドープしたペンタセンのESR
• 28p-WB-1 ヨウ素ドープしたPENフィルムのESR
• 3p-A-4 グラファイト層間化合物のスピン帯磁率
• 30p-QA-4 熱中性子照射をしたポリシランのESR
• 30p-QA-2 低温における t-(CH)_x のESR線幅
• 5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
• 31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
• 6a-C-6 HNO_3-GICの帯磁率
• 5a-B1-8 スズのジョセフソンネットワークにおける臨界面抵抗
• 12p-DF-2 銅微粒子膜における電荷KT転移
• 26p-P-10 微粒子膜とクーロン閉塞
• 5a-B1-9 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性
• 26p-ZB-13 Al微小トンネル接合の帯電効果
• Al微小トンネル接合のI-V特性
• 6a-ZE-10 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性III
• 5p-B2-7 銅微粒子中における核スピン緩和の異常
• 28a-R-1 アルミニウム微粒子の超伝導と久保効果
• 27p-Q-3 フッ素樹脂微粒子中における^F核スピンの緩和
• 28a-QD-11 Sn微粒子核スピンの低温に於ける緩和
• 1a-B-10 Al微粒子のESRとNMR
• 4a-S-6 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態II
• 28a-YJ-1 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態
• 29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
• 26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
• 28a-J-9 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下のNMR
• 28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
• 30p-M-13 DCNQI-Cu塩の帯磁率の圧力効果
• 27a-W-3 補償されたSi:PのNMR
• 2a-L-8 Si:Pの稀釈冷凍機温度域におけるNMRIII
• 3p-RM-7 高濃度型Si:Pの極低温電気伝導
• 13a-D-8 SiPの希釈冷凍機温度領域のNMR II
• 29a-M-5 Si:Pの希釈冷凍機温度域におけるNMR
• 26p-J-3 金属域((CH)_y (CIO_4)_)_xのスピン帯磁率の温度依存性
• 26p-J-1 ポリアセチレンのμ^-SR
• 31a-L-2 Si:Pの金属絶縁体転移の臨界圧力
• 15p-D-2 Si:Pの金属・非金属転移近傍の磁化率
• 24p-ZA-9 (MeCl-DCNQI)_2CuのCuのNMR
• 3p-DS-12 Si:Pのホッピング伝導
• 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
• 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
• 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
• 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
• 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
• 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
• 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
• 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
• 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
• 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
• 25a-ZB-9 永続光伝導体における超伝導近接効果
• 4a-KH-9 K-GICsのスピン帯磁率と軌道常磁性
• 6p-B1-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率III
• 28p-ZF-2 (DMe-DCNQI)_2CuのNMR
• 30a-HE-6 ビスマス薄膜におけるアンダーソン局在
• 30a-HE-5 鎮状Ni微粒子系の低温電気伝導
• 30p-TB-15 永続的光伝導による金属絶縁体転移IV
• 6p-B1-2 AlGaAsの永続光伝導による金属・非金属転移III
• 6a-B1-10 無電極リングのAAS効果
• メゾスコピック系と超伝導
• 量子力学と摩擦--電気抵抗のあるジョセフソン効果
• 28a-Q-2 AlGaAsの永続光伝導による金属非金属転移 II
• 24p-ZB-11 ^3He-^4He混合液の冷却と超流動探索II
• 単一微小トンネル接合におけるクーロンブロッケイドII
• 28p-M-4 単一微小トンネル接合におけるクーロンブロッケイド
• 3p-YE-7 超伝導微小トンネル接合列の電流電圧特性
• 1a KH-12 極低温の不純物伝導
• 31p GD-3 極低温におけるSi:Pの磁気抵抗効果
• 3p-DS-10 極低温に於けるGe:Sbの磁気抵抗効果
• 3p-B-2 不純物伝導の低温磁化率II
• 31p GD-2 不純物伝導の低温磁化率
• 2a-TA-7 C_SbCl_5の帯磁率
• 2a-C-4 微粒子薄膜の電気伝導 IV : 磁性不純物効果
• 29p-T-2 圧力によるSi:Pの金属絶縁体転移II
• 26a-P-3 圧力によるSi:Pの金属絶縁体転移
• 表面2次元電子系の多体効果
• 30p-RB-1 Al膜の金属非金属転移
• 1a-E-9 積層微粒子薄膜の磁性と局在
• 超微粒子, アグネ技術センター, 東京, 1984, iv+174ページ, 26×18.5cm, 3,500円 (固体物理・金属物理セミナー別冊特集号).
• 2a-L-7 積層微粒子薄膜の電気伝導III
• 3p-RM-5 積層微粒子薄膜の電気伝導II
• 12p-K-4 4金属薄膜の実験
• 30a-LB-6 超伝導膜の金属非金属転移(低温)
• 28a-LC-9 大量にドープした(CH)_xの低温における電気伝導(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 3a-YH-6 単一微小トンネル接合における超伝導絶縁体転移(3aYH 低温(微小トンネル接合),低温)
• 30a-CQ-6 Bi薄膜の金属・非金属転移(低温)
• 31p-PS-146 酸化物超伝導体の超高圧・高温による処理・合成(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 27p-JF-4 金属微粒子,核断熱消磁による^3He希薄溶液の超流動探索(低温)
• 29a-H-5 HNO_3-GICの静帯磁率(29aH 半導体(グラファイト・インターカレーション))
• 1p-L4-1 アルミニウム単結晶薄膜の超伝導(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 30p-SC-14 Si:Pの帯磁率(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))
• 2p-D4-10 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの極低温電気伝導(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 31a-B1-9 積層微粒子薄膜における金属・非金属転移(31a B1 低温)
• 1p-L4-6 NiSi_2単結晶薄膜における2次元弱局在と非弾性散乱時間(低温(薄膜・細線の電気伝導))
• 28p-SC-1 スズ微笑ジョセフソン接合のI-V特性II(28p SC 低温(Heavy Fermion系,その他の超伝導))
• 30a-CQ-5 ピスマス膜中の電子の非弾性散乱時間(低温)
• 30p-LB-8 AlGaAsの永続光伝導による金属非金属転移(低温)
• 1a-L4-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率II(低温(金属非金属転移))
• 30p-SC-12 永続光伝導体におけるホッピング伝導(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク