30p-QA-2 低温における t-(CH)_x のESR線幅
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27a-ZB-3 アルミニウム微粒子膜と臨界面抵抗II
-
31p-Y-4 アルミニウム微粒子膜とh/4e^2
-
30p-QA-4 熱中性子照射をしたポリシランのESR
-
30p-QA-2 低温における t-(CH)_x のESR線幅
-
5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
-
31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
-
硝酸黒鉛層間化合物の静帯磁率(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
-
5a-B1-8 スズのジョセフソンネットワークにおける臨界面抵抗
-
12p-DF-2 銅微粒子膜における電荷KT転移
-
26p-P-10 微粒子膜とクーロン閉塞
-
5a-B1-9 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性
-
26p-ZB-13 Al微小トンネル接合の帯電効果
-
Al微小トンネル接合のI-V特性
-
6a-ZE-10 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性III
-
5p-B2-7 銅微粒子中における核スピン緩和の異常
-
28a-R-1 アルミニウム微粒子の超伝導と久保効果
-
27p-Q-3 フッ素樹脂微粒子中における^F核スピンの緩和
-
28a-QD-11 Sn微粒子核スピンの低温に於ける緩和
-
1a-B-10 Al微粒子のESRとNMR
-
26p-J-3 金属域((CH)_y (CIO_4)_)_xのスピン帯磁率の温度依存性
-
3p-B-3 極低温におけるSi:Pの電子比熱
-
31p GD-1 極低温におけるSi:Pの電子比熱 (III)
-
3p-DS-11 極低温におけるSi:Pの電子比熱
-
31p-BJ-9 極低温における Si:P の電子比熱
-
6a-K-5 Si:Pの電子比熱
-
30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
-
29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
-
2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
-
2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
-
1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
-
1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
-
31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
-
31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
-
30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
-
25a-ZB-9 永続光伝導体における超伝導近接効果
-
28a-Q-5 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率
-
30a-HE-6 ビスマス薄膜におけるアンダーソン局在
-
30a-HE-5 鎮状Ni微粒子系の低温電気伝導
-
30p-TB-15 永続的光伝導による金属絶縁体転移IV
-
6p-B1-2 AlGaAsの永続光伝導による金属・非金属転移III
-
6a-B1-10 無電極リングのAAS効果
-
メゾスコピック系と超伝導
-
量子力学と摩擦--電気抵抗のあるジョセフソン効果
-
28a-Q-2 AlGaAsの永続光伝導による金属非金属転移 II
-
31p-BJ-8 Si:P の極低温帯磁率
-
31p-BJ-7 中間濃度 SiP の NMR
-
31p GD-3 極低温におけるSi:Pの磁気抵抗効果
-
3p-DS-10 極低温に於けるGe:Sbの磁気抵抗効果
-
2a-C-4 微粒子薄膜の電気伝導 IV : 磁性不純物効果
-
表面2次元電子系の多体効果
-
30p-RB-1 Al膜の金属非金属転移
-
1a-E-9 積層微粒子薄膜の磁性と局在
-
超微粒子, アグネ技術センター, 東京, 1984, iv+174ページ, 26×18.5cm, 3,500円 (固体物理・金属物理セミナー別冊特集号).
-
2a-L-7 積層微粒子薄膜の電気伝導III
-
3p-RM-5 積層微粒子薄膜の電気伝導II
-
13a-D-2 積層微粒子薄膜の電気伝導
-
12p-K-4 4金属薄膜の実験
-
31p-G4-7 ポリアセチレンのμ SR II(分子性結晶・液晶・有機半導体)
-
31p-CE-8 アルミニウム微粒子に於ける核スピン緩和の異常(低温)
-
1p-L4-14 Al微粒子の超伝導と久保効果II(低温(薄膜・細線の電気伝導))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク