表面2次元電子系の多体効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-03-10
著者
関連論文
- 27a-ZB-3 アルミニウム微粒子膜と臨界面抵抗II
- 31p-Y-4 アルミニウム微粒子膜とh/4e^2
- 30p-QA-2 低温における t-(CH)_x のESR線幅
- 5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
- 31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
- 5a-B1-8 スズのジョセフソンネットワークにおける臨界面抵抗
- 12p-DF-2 銅微粒子膜における電荷KT転移
- 26p-P-10 微粒子膜とクーロン閉塞
- 5a-B1-9 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性
- 26p-ZB-13 Al微小トンネル接合の帯電効果
- Al微小トンネル接合のI-V特性
- 6a-ZE-10 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性III
- 5p-B2-7 銅微粒子中における核スピン緩和の異常
- 28a-R-1 アルミニウム微粒子の超伝導と久保効果
- 27p-Q-3 フッ素樹脂微粒子中における^F核スピンの緩和
- 28a-QD-11 Sn微粒子核スピンの低温に於ける緩和
- 1a-B-10 Al微粒子のESRとNMR
- 26p-J-3 金属域((CH)_y (CIO_4)_)_xのスピン帯磁率の温度依存性
- 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
- 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
- 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
- 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
- 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
- 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
- 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
- 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
- 30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
- 25a-ZB-9 永続光伝導体における超伝導近接効果
- 30a-HE-6 ビスマス薄膜におけるアンダーソン局在
- 30a-HE-5 鎮状Ni微粒子系の低温電気伝導
- 30p-TB-15 永続的光伝導による金属絶縁体転移IV
- 6p-B1-2 AlGaAsの永続光伝導による金属・非金属転移III
- 6a-B1-10 無電極リングのAAS効果
- メゾスコピック系と超伝導
- 量子力学と摩擦--電気抵抗のあるジョセフソン効果
- 28a-Q-2 AlGaAsの永続光伝導による金属非金属転移 II
- 31p GD-3 極低温におけるSi:Pの磁気抵抗効果
- 3p-DS-10 極低温に於けるGe:Sbの磁気抵抗効果
- 2a-C-4 微粒子薄膜の電気伝導 IV : 磁性不純物効果
- 表面2次元電子系の多体効果
- 30p-RB-1 Al膜の金属非金属転移
- 1a-E-9 積層微粒子薄膜の磁性と局在
- 超微粒子, アグネ技術センター, 東京, 1984, iv+174ページ, 26×18.5cm, 3,500円 (固体物理・金属物理セミナー別冊特集号).
- 2a-L-7 積層微粒子薄膜の電気伝導III
- 3p-RM-5 積層微粒子薄膜の電気伝導II
- 13a-D-2 積層微粒子薄膜の電気伝導
- 12p-K-4 4金属薄膜の実験