29a-H-5 HNO_3-GICの静帯磁率(29aH 半導体(グラファイト・インターカレーション))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-28
著者
関連論文
- 2p-B-7 アルカリドープしたペンタセンの静帯滋率
- 27a-K-13 アルカリドープしたペンタセンのESR
- 28p-WB-1 ヨウ素ドープしたPENフィルムのESR
- 3p-A-4 グラファイト層間化合物のスピン帯磁率
- 30p-QA-4 熱中性子照射をしたポリシランのESR
- 5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
- 31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
- 6a-C-6 HNO_3-GICの帯磁率
- 4a-S-6 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態II
- 28a-YJ-1 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態
- 29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
- 26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
- 28a-J-9 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下のNMR
- 28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
- 30p-M-13 DCNQI-Cu塩の帯磁率の圧力効果
- 27a-W-3 補償されたSi:PのNMR
- 2a-L-8 Si:Pの稀釈冷凍機温度域におけるNMRIII
- 3p-RM-7 高濃度型Si:Pの極低温電気伝導
- 13a-D-8 SiPの希釈冷凍機温度領域のNMR II
- 29a-M-5 Si:Pの希釈冷凍機温度域におけるNMR
- 26p-J-3 金属域((CH)_y (CIO_4)_)_xのスピン帯磁率の温度依存性
- 26p-J-1 ポリアセチレンのμ^-SR
- 31a-L-2 Si:Pの金属絶縁体転移の臨界圧力
- 15p-D-2 Si:Pの金属・非金属転移近傍の磁化率
- 24p-ZA-9 (MeCl-DCNQI)_2CuのCuのNMR
- 3p-DS-12 Si:Pのホッピング伝導
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- 4a-KH-9 K-GICsのスピン帯磁率と軌道常磁性
- 6p-B1-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率III
- 28p-ZF-2 (DMe-DCNQI)_2CuのNMR
- 24p-ZB-11 ^3He-^4He混合液の冷却と超流動探索II
- 単一微小トンネル接合におけるクーロンブロッケイドII
- 28p-M-4 単一微小トンネル接合におけるクーロンブロッケイド
- 3p-YE-7 超伝導微小トンネル接合列の電流電圧特性
- 1a KH-12 極低温の不純物伝導
- 3p-B-2 不純物伝導の低温磁化率II
- 31p GD-2 不純物伝導の低温磁化率
- 2a-TA-7 C_SbCl_5の帯磁率
- 29p-T-2 圧力によるSi:Pの金属絶縁体転移II
- 26a-P-3 圧力によるSi:Pの金属絶縁体転移
- 28a-LC-9 大量にドープした(CH)_xの低温における電気伝導(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 3a-YH-6 単一微小トンネル接合における超伝導絶縁体転移(3aYH 低温(微小トンネル接合),低温)
- 31p-PS-146 酸化物超伝導体の超高圧・高温による処理・合成(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 27p-JF-4 金属微粒子,核断熱消磁による^3He希薄溶液の超流動探索(低温)
- 29a-H-5 HNO_3-GICの静帯磁率(29aH 半導体(グラファイト・インターカレーション))
- 30p-SC-14 Si:Pの帯磁率(30p SC 低温(低次元系,ヘリウム ; アンダーソン局在))
- 2p-D4-10 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの極低温電気伝導(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
- 1a-L4-4 補償されたSi:Pの電子スピン帯磁率II(低温(金属非金属転移))