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松井 誠 | 日立中研
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松井 誠
日立中研
佐々木 亘
東大理
松井 誠
東大理
大嶋 卓
日立中研
小林 俊一
東大理
小森 文夫
東大理
梶田 晃示
東大理
河野 公俊
東大理
藤井 郁子
東大理
高松 洋子
東大理
著作論文
6a-K-4 補償度の高い不純物半導体(Ge)-Band Tail-
13p-H-3 不純物伝導と補償
3a-H-15 不純物伝導と補償
1p-L4-6 NiSi_2単結晶薄膜における2次元弱局在と非弾性散乱時間(低温(薄膜・細線の電気伝導))
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