量子ホール効果状態の臨界電流
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20aRC-11 「コア・カリキュラム学習支援」システムの改善手法(20aRC 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
-
27aVE-6 学習者カルテに基づくコア・カリキュラムの学習支援とその改善(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
-
26aVE-7 危機・限界体験実験による大学院教育(物理教育,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
-
28pYE-2 学習者カルテに基づくコア・カリキュラムの学習支援とその効果(28pYE 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
-
III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
-
28p-YG-3 常伝導細線の輸送現象における超伝導近接効果
-
27a-W-4 Si:Pの高磁場における磁化
-
硝酸黒鉛層間化合物の静帯磁率(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
-
6a-C-6 HNO_3-GICの帯磁率
-
6p-B1-3 不純物半導体の静帯磁率
-
28a-Q-4 Si:Pの静帯磁率
-
キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
-
キャパシティブに結合した電極を用いた量子ホール効果のbreakdownの研究
-
30p-Q-10 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導 III
-
強磁性微小トンネル接合列の電気伝導II
-
微細加工した微粒子膜の電気伝導
-
超伝導微粒子膜における超伝導-絶縁体転移
-
Ni-NiO-Ni及びNi-NiO-Fe微小トンネル接合の電気伝導
-
1a-B-10 Al微粒子のESRとNMR
-
24pQK-8 コア・カリキュラム学習支援システムのハンドブック化(24pQK 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
-
24a-J-13 Fibonacci格子中を伝播する第3音波の透過係数(実験)
-
14a-K-18 "高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴"[VI] : Photoinduced mid-gap statesの再確認
-
30a-M-10 "高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴"[V]
-
30a-M-9 "高電場内Cu_2Oのパルス光伝導の異常な温度依存症"[I]
-
31p-BJ-11 極低温に於る高濃度 Ge:Sb の電気伝導
-
8a-B-3 極低温に於る不純物伝導-II-
-
3p-RM-7 高濃度型Si:Pの極低温電気伝導
-
トンネル型磁気抵抗と単一電子帯電効果
-
27p-YG-1 微少2重トンネル接合系の磁気クローン振動
-
5p-N-6 強磁性SETトランジスタの電気伝導II
-
29p-WB-4 強磁性単一電子トランジスタの磁気抵抗
-
28a-YN-7 希薄磁性半導体トンネル接合 : GaMnAs/AlAs/GaMnAsにおける巨大トンネル磁気抵抗効果
-
13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
-
12p-K-5 5.不純物半導体の実験
-
14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
-
30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
-
27a-HE-2 金属微粒子を用いた熱交換器の作製
-
29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
-
2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
-
2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
-
1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
-
1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
-
1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
-
30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
-
31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
-
31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
-
2a-B-15 Siの不純物伝導に於る表面処理の効果
-
30a-L-5 超伝導微粒子の臨界磁場 : 静帯確率
-
27a-ZG-11 高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴 IV : 非線形光学サイクロトロン2重共鳴
-
30p-W-1 高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴 III
-
30a-C-2 高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴 II
-
27a-M-6 高密度励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴
-
4a-E-17 Cu_2Oのマイクロ波光伝導応答 : 温度依存性とサイクロトロン共鳴
-
30a-Y-13 超伝導性物質のパルス光伝導 V : Y_-Ba_x-Cu_3-O_z系
-
5p-C-12 超伝導性物質のパルス光伝導 IV
-
5p-C-10 直交する電場・磁場内のCu_2Oのパルス光伝導
-
5a-S4-15 超伝導性物質のパルス光伝導II : La-Cu-O系
-
5a-S4-13 直交する電場・磁場内のCdSのパルス光伝導(II)
-
4a-KD-7 TTF-TCNQの低温における非線形効果(II)
-
18pWA-13 強磁性SETにおける磁気抵抗効果 II
-
27aD-2 強磁性体微小2重接合系の磁気クーロン振動
-
31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
-
31a-A-6 静電結合した2本の微小ジョセフソン接合列の電気伝導
-
31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
-
25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
-
25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
-
27p-YG-5 単一電子トランジスターを用いた走査型電荷計の開発
-
25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
-
25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
-
6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
-
5a-N-12 微小トンネル接合列を用いた温度計
-
27a-W-2 第3音波のアンダーソン局在I
-
3p-YE-13 金属微粒子を挟んだトンネル分光 1I
-
N/S/N接合をもった微小ループの磁気抵抗 II
-
6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
-
28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 II
-
28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
-
28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
-
28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
-
高濃度Si:Pの低温伝導
-
高濃度Si:Pの低温伝導
-
1a KH-12 極低温の不純物伝導
-
31p GD-3 極低温におけるSi:Pの磁気抵抗効果
-
3p-DS-10 極低温に於けるGe:Sbの磁気抵抗効果
-
7a-C-1 低温における乱れた糸
-
4p-U-3 極低温における不純物伝導
-
量子ホール効果状態の臨界電流
-
28p-X-3 量子ホール効果状態の臨界電流
-
30p-N-12 量子ホール効果状態の電流分布
-
3p-YE-14 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導
-
1a-L4-3 Si:Pの静帯磁率(二)(低温(金属非金属転移))
-
25aYL-7 強磁性単一電子ポンプ(25aYL 微小磁性体の磁気伝導,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
-
3p-YH-1 並列ポイントコンタクトでreservoirと結合した量子ドットの電気伝導II(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
-
3a-YH-5 超伝導微粒子膜における超伝導 : 絶縁体転移II(3aYH 低温(微小トンネル接合),低温)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク