1p-F-6 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1996-03-15

著者

• 木下 拓哉

  慶大理工

• 武藤 準一郎

  慶大理工

• 伊藤 公平

  慶大理工

• Farmer J.w.

  Uc Berkeley

• Haller E.e.

  Uc Berekely

• Ozhogin V.I.

  Kurchatov Inst

• Farmer J.W.

  U.Missouri

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