9aXF-1 高純度シリコンのNMR核スピン緩和(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2002-08-13
著者
-
佐々木 進
新潟大工
-
伊藤 公平
慶大理工
-
阿部 英介
慶大理工
-
土屋 能明
新潟大学大学院自然科学研究科
-
佐々木 進
新潟大 工
-
佐々木 進
新潟大工:CREST
-
高橋 昌幸
新潟大自然研
-
土屋 能明
新潟大自然研
-
佐藤 智久
新潟大自然研
関連論文
- 20aGD-11 Tm_2Rh_P_7の低温物性(20aGD スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aXA-13 カゴ状物質La_3Pd_X_6(X=Ge,Si)の4aサイトLaのNMR異常(スクッテルダイト化合物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 29pTA-10 (Tm_XLu_)_2Rh_P_7のNMR(29pTA スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pYB-2 同位体^Ge/^Ge超格子におけるコヒーレントフォノンの観測
- 18pPSB-18 CePt_3Siの圧力下における^Si-NMR(18pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2:アクチナイド,超伝導,新物質など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pRA-4 CePt_3Siの^Si-NMR II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29a-PS-18 Si/Ge(001)のSTM, XPS, LEED
- 19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
- 29pYF-10 同位体^Si中のPに束縛された電子スピンの緩和時間の測定(半導体スピン物性)(領域4)
- 14pPSB-21 カゴ状物質 La_3Pd_Ge_6 の NMR 測定(f-電子系, 領域 8)
- 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
- 高純度シリコンの核スピン緩和
- 25aWA-3 超伝導体Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定II(高温超伝導(磁気励起,1/8問題),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12pRD-9 超伝導体 Pr_2Ba_4Cu_7O_ の Cu-NQR 測定(高温超伝導 : 擬ギャップ・超伝導応答, 領域 8)
- 13aYB-11 多重パルス列による Ga, As 核スピンの T_2(半導体スピン物性, 領域 4)
- 13aYB-10 多重パルス列による ^Si の NMR 測定(半導体スピン物性, 領域 4)
- 28aPS-7 Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定(領域8 ポスターセッション)(領域8)
- 21aTJ-3 La_Sr_xCu_8O_ の磁化特性 II
- 22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
- 20pHV-7 Al核スピンによるナノ構造の直接観察II(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-5 Al核スピンによるナノ構造の直接観察(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-12 CdTe基板における核スピンコヒーレント時間(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pYC-12 多重パルス列によるGa,As核スピンのT_2 II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-11 多重パルス列による^SiのNMR測定II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aXD-2 超伝導体Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定III(高温超伝導(多層型,揺らぎ),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pWA-1 擬一次元CuO二重鎖伝導面における超伝導(高温超伝導(置換効果・結晶化学),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 17pTG-2 ^Si結晶中の酸素原子局在振動
- 29p-ZG-10 半導体(Ge, GaAs)におけるコヒーレントフォノンの偏光特性
- 29pXB-1 Pr_2Ba_4Cu_7O_酸化物の還元処理による超伝導遷移(高温超伝導(結晶化学,関連物質他))(領域8)
- 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱II
- 1p-F-6 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱
- シリコン結晶中の核スピン量子コヒーレンス (特集号)
- 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
- 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 28aYA-5 核スピンのコヒーレンス時間(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 22pL-8 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移点近傍での広域ホッピング伝導
- 2p-F-2 不純物ドーピングによるp型半導体の金属-絶縁体転移
- 5p-PSB-65 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeにおける光誘起磁化の波長および温度依存性
- 半磁性半導体Cd_Mn_xTeの光誘起磁化の組成依存性
- Cd_Mn_xFe_yTeの高温におけるスピングラス様磁性
- 半導体中の2価の中性不純物によるキャリアの散乱
- 17pTG-14 イオン化不純物分布のRandom-to-Correlated転移
- 26aYL-2 n型Ge(As, Ga)の遠赤外不純物吸収スペクトル
- 29pYG-9 GaAs基盤のGa-,As-NMRのスペクトルと緩和時間(量子ホール効果)(領域4)
- 6a-N-2 Ge:Ga試料の金属-絶縁体転移近傍における遠赤外反射測定
- 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
- 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
- 6a-N-2 Ge:Ga試料の金属-絶縁体転移近傍における遠赤外反射測定
- 領域4「10 qubitsは可能か? : 量子コンピュータの実現にむけて」(2001年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
- 19pYH-7 半導体核スピン量子ビット
- 23pK-1 21世紀に向けた半導体物理工学 : はじめに
- 22pL-9 半導体を用いた金属-絶縁体転移の実験からわかったこと
- 18aPSB-29 同位体制御CVDダイヤモンド超薄膜中の窒素空孔欠陥の特性評価(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 9aXF-1 高純度シリコンのNMR核スピン緩和(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1)
- 6pPSA-38 La4SrCU5Oyの磁化特性(高温超伝導,領域8)
- 27aKA-3 窒素ドープ同位体制御化学気相成長で生成したダイヤモンド中窒素空孔中心の顕微分光と光検出磁気共鳴(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pPSB-55 金コートAFMチップによるダイヤモンド窒素空孔中心の発光増強(領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))
- 26pPSB-48 表面近傍ダイヤモンド中窒素空孔中心の発光特性と金属ナノワイヤ付加の効果(領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))
- 25pBB-14 ダイヤモンド中単一NV中心を用いた微小磁場計測(量子エレクトロニクス(量子コンピューター・デコヒーレンス・量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 2p-F-2 不純物ドーピングによるp型半導体の金属-絶縁体転移(2pF 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,アンダーソン局在),低温)
- 28aCC-3 高均一配向軸を有するダイヤモンドNV中心集合体を用いた磁場センシング(28aCC 量子エレクトロニクス(量子光学・近接場光学),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))
- 28aCC-4 Dynamical DecouplingによるダイヤモンドNV中心集合体のデコヒーレンス解析(28aCC 量子エレクトロニクス(量子光学・近接場光学),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))
- 28aCC-2 高均一配向軸を有するダイヤモンドNV中心集合体の作製とコヒーレンス評価(28aCC 量子エレクトロニクス(量子光学・近接場光学),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))