28aCC-2 高均一配向軸を有するダイヤモンドNV中心集合体の作製とコヒーレンス評価(28aCC 量子エレクトロニクス(量子光学・近接場光学),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2014-03-05

著者

• 渡邊 幸志

  産総研

• 梅澤 仁

  産総研

• 伊藤 公平

  慶大理工

• 鹿田 真一

  産総研

• 早瀬 潤子

  慶大理工

• 五味 朋寛

  慶大理工

• 金子 和樹

  慶大理工

• 藤澤 康二

  慶大理工

関連論文

• 28pXQ-6 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高密度エキシトン状態からの非線形発光現象(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
• 22aTB-5 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高密度エキシトン状態からの発光
• 30aTL-1 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導 : T_Cと結晶性の深さ方向分布との相関(30aTL ダイヤモンド超伝導他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aQE-2 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導への膜厚の影響(20aQE ダイヤモンド・Si超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pYB-2 同位体^Ge/^Ge超格子におけるコヒーレントフォノンの観測
• 18pPSB-18 CePt_3Siの圧力下における^Si-NMR(18pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2:アクチナイド,超伝導,新物質など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pRA-4 CePt_3Siの^Si-NMR II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29a-PS-18 Si/Ge(001)のSTM, XPS, LEED
• 19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
• 29pYF-10 同位体^Si中のPに束縛された電子スピンの緩和時間の測定(半導体スピン物性)(領域4)
• 21aRH-9 電子線励起過程におけるEu^ドープ微小球からのwhispering gallery modeの観測(量子エレクトロニクス(高強度レーザー・コヒーレント過渡現象・微小共振器),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
• 22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
• 17pTG-2 ^Si結晶中の酸素原子局在振動
• 29p-ZG-10 半導体(Ge, GaAs)におけるコヒーレントフォノンの偏光特性
• 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱II
• 1p-F-6 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱
• 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
• 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
• 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
• 25a-YG-13 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移
• 25a-YG-12 Ge:GaのMI転移臨界領域における電気伝導
• 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
• 28aYA-5 核スピンのコヒーレンス時間(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
• 22pTB-2 電気二重層トランジスタによる水素終端ダイヤモンドの絶縁体-金属転移(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pL-8 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移点近傍での広域ホッピング伝導
• 2p-F-2 不純物ドーピングによるp型半導体の金属-絶縁体転移
• 5p-PSB-65 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeにおける光誘起磁化の波長および温度依存性
• 半磁性半導体Cd_Mn_xTeの光誘起磁化の組成依存性
• Cd_Mn_xFe_yTeの高温におけるスピングラス様磁性
• 半導体中の2価の中性不純物によるキャリアの散乱
• 17pTG-14 イオン化不純物分布のRandom-to-Correlated転移
• 26aYL-2 n型Ge(As, Ga)の遠赤外不純物吸収スペクトル
• 6a-N-2 Ge:Ga試料の金属-絶縁体転移近傍における遠赤外反射測定
• 6a-N-1 ^Ge:Gaにおける広域ホッピング伝導
• 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 II
• 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
• 28a-R-6 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導II
• 28a-R-5 金属-絶縁体転移点近傍におけるGe:Ga中の電気伝導 I
• 6a-N-2 Ge:Ga試料の金属-絶縁体転移近傍における遠赤外反射測定
• 領域4「10 qubitsは可能か? : 量子コンピュータの実現にむけて」(2001年秋季大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
• 19pYH-7 半導体核スピン量子ビット
• 23pK-1 21世紀に向けた半導体物理工学 : はじめに
• 22pL-9 半導体を用いた金属-絶縁体転移の実験からわかったこと
• 18aPSB-29 同位体制御CVDダイヤモンド超薄膜中の窒素空孔欠陥の特性評価(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
• 18pPSB-13 強励起下における集団量子ドットフォトンエコー信号の横モード(18pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・非線形光学・超高速現象),領域5(光物性))
• 1J1-1 ブリルアン振動法による同位体比制御ダイヤモンド薄膜の弾性定数の精密計測(超音波物性,光超音波,圧電デバイス)
• 9aXF-1 高純度シリコンのNMR核スピン緩和(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1)
• 27aKA-3 窒素ドープ同位体制御化学気相成長で生成したダイヤモンド中窒素空孔中心の顕微分光と光検出磁気共鳴(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pPSB-55 金コートAFMチップによるダイヤモンド窒素空孔中心の発光増強(領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))
• 26pPSB-48 表面近傍ダイヤモンド中窒素空孔中心の発光特性と金属ナノワイヤ付加の効果(領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))
• 25pBB-14 ダイヤモンド中単一NV中心を用いた微小磁場計測(量子エレクトロニクス(量子コンピューター・デコヒーレンス・量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27aDB-7 ピコ秒単一光子パルス励起による不均一2準位系集合体からのフォトンエコー生成(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))
• 26pPSA-35 InAs量子ドットにおけるヘテロダインフォトンエコー測定(領域5ポスターセッション(励起子,微粒子・ナノ結晶,その他),領域5(光物性))
• 26pPSA-34 InP(311)B面上InAs量子ドットの低密度化と光学特性への影響(領域5ポスターセッション(励起子,微粒子・ナノ結晶,その他),領域5(光物性))
• 26pPSA-38 InP(311)B基盤上単一InAs量子ドットの発光測定(領域5ポスターセッション(励起子,微粒子・ナノ結晶,その他),領域5(光物性))
• 2p-F-2 不純物ドーピングによるp型半導体の金属-絶縁体転移(2pF 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,アンダーソン局在),低温)
• 28aCC-3 高均一配向軸を有するダイヤモンドNV中心集合体を用いた磁場センシング(28aCC 量子エレクトロニクス(量子光学・近接場光学),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))
• 28aCC-4 Dynamical DecouplingによるダイヤモンドNV中心集合体のデコヒーレンス解析(28aCC 量子エレクトロニクス(量子光学・近接場光学),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))
• 28aCC-2 高均一配向軸を有するダイヤモンドNV中心集合体の作製とコヒーレンス評価(28aCC 量子エレクトロニクス(量子光学・近接場光学),領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク