Ozhogin V.I. | Kurchatov Inst
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
武藤 準一郎
慶大理工
-
伊藤 公平
慶大理工
-
Farmer J.w.
Uc Berkeley
-
Haller E.e.
Uc Berekely
-
Ozhogin V.I.
Kurchatov Inst
-
木下 拓哉
慶大理工
-
Farmer J.W.
U.Missouri
-
Missouri U.
UC Berkeley
-
Shutt T.
UC Berkeley
-
Cummings A.
UC Berkeley
-
Stockwell W.
UC Berkeley
-
Sadoulet B.
UC Berkeley
-
Reichertz L.A.
Max-Planck
-
Kreysa E.
Max-Planck
著作論文
- 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱II
- 1p-F-6 強く補償された半導体中のイオン化不純物によるキャリアの散乱
- 2p-F-2 不純物ドーピングによるp型半導体の金属-絶縁体転移