鴻池 貴子 | 物性研

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概要

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関連著者

• 鴻池 貴子

  物性研

• 長田 俊人

  物性研

• 内田 和人

  物性研

• 鴻池 貴子

  東大物性研

• 宇治 進也

  物材機構

• 長田 俊人

  東大物性研

• 榎本 健悟

  物材機構

• 鴻池 貴子

  物材機構

• 榎本 健吾

  物材機構(NIMS)

• 寺嶋 太一

  物材機構

• 内田 和人

  東大物性研

• 長田 俊人

  東京大学物性研究所

• 西村 光佳

  物材機構

• 山口 尚秀

  物材機構

• 宇治 進也

  物材機構(nims):筑波大数理物質

• 寺嶋 太

  金材技研

• 安塚 周磨

  筑波大院数物

• 安塚 周磨

  阪市大院理:(現)筑波大

• 小林 速男

  分子研

• 周 彪

  日大文理

• Zhang B.

  分子研

• 矢ヶ部 太郎

  物材機構(NIMS)

• 矢ヶ部 太郎

  物材機構

• 藤原 秀紀

  ケルン大

• 佃 明

  東大物性研

• 中原 大介

  東大物性研

• Brooks J.

  NHMFL

• Brooks J.

  フロリダ州立大

• Brooks J.

  フロリダ大NHMFL

• Brooks James

  フロリダ大NHMFL

• Brooks J.S.

  NHMFL

• Zhang Bin

  分子研

• 安塚 周磨

  阪市大・院理

• Brooks J.s.

  フロリダ州立大

• 熊谷 篤

  東大物性研

• Brooks J.

  Hmfl(florida State Univ.)

• J.S. Brooks

  フロリダ大

• 奥永 洋夢

  東大物性研

• 小林 明子

  上智大理工

• Choi E.

  Nhmfl

• 鈴木 博之

  物材機構

• 小林 速男

  日大文理

• 徳本 圓

  防衛大

• 小林 昭子

  東大理

• 田中 寿

  産総研

• Graf D.

  NHMFL

• 藤原 秀紀

  大阪府大先端研

• 徳本 圓

  産総研

• 榎本 健吾

  物材機構

• Graf D.

  フロリダ州立大

• 小林 真帆

  東邦大理

• 山本 浩史

  理研

• 瀧宮 和男

  広島大工

• 森 健彦

  東工大院理工

• 川本 正

  東工大院理工

• 瀧宮 和男

  広島大院工

• 大坪 徹夫

  広島大院工

• 佐藤 光幸

  東邦大理

• 山本 浩史

  理研:jst-さきがけ

• 大坪 徹夫

  Department Of Applied Chemistry Graduate School Of Engineering Hiroshima University

• 大坪 徹夫

  広島大工

• 大坪 徹夫

  広大院工

• 大坪 徹男

  広島大学 工学部

• Takimiya Kazuo

  Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University

• Otsubo Tetsuo

  Faculty Of Engineering Hiroshima University

• Tanaka K

  Kyoto Univ. Kyoto

• 佐藤 光幸

  物性研

• 松本 武彦

  物材機構(NIMS)

• 青木 晴善

  東北大院理

• 菅原 滋晴

  東大物性研

• 青木 晴善

  東北大極低セ

• 青木 春善

  東北大低温セ

• 木村 憲彰

  東北大極低セ

• 小松原 武美

  東北大極低セ

• 丹田 聡

  北大院工

• 青木 晴義

  金材研

• 横川 敬一

  阪市大院理

• 山田 順一

  兵庫県立大

• 山谷 和彦

  北大院工

• 松本 武彦

  東大物性研

• 寺嶋 太一

  物材機構:jst-trip

• 山田 順一

  兵庫県立大院物質理

• 今村 大樹

  東大物性研

• 村田 惠三

  阪市立大院理

• 山田 順一

  兵庫県大院物質理

• 松本 武彦

  物材機構

• 小松原 武美

  東北大院理・極低セ

• CHOI E.

  NHMFL(米国)

• Choi E-S.

  NHMFL

• 藤原 秀紀

  分子研

• 遠藤 元気

  東北大極低セ

• 前沢 邦彦

  富山県立大

• 遠藤 元気

  カシオ(株)

• 前沢 邦彦

  富山県立大工

• 前澤 邦彦

  富山県立大工

• 前沢 邦彦

  富山技短大

• 青木 晴善

  金材技研

• 菅原 滋晴

  東理大理工

• 山谷 和彦

  北大・理

• 清水 孝文

  物性研

• 榎木 健悟

  物材機構

• 佐藤 光幸

  東大物性研

• 山浦 淳一

  東大物性研

• 北川 宏

  九大院理

• 加藤 礼三

  理研

• 根本 祐一

  新潟大院自然

• 後藤 輝孝

  新潟大院自然

• 木村 憲彰

  東北大院理

• 佐藤 憲昭

  名大院理

• 鈴木 修

  新潟大院自然

• 村田 恵三

  阪市大院理

• 吉野 治一

  阪市大院理

• 山上 浩志

  京産大理

• 徳本 貴久

  NHMFL

• 佐々木 実

  山形大理

• 山村 泰久

  筑波大院数物

• 齋藤 一弥

  筑波大院数物

• 大西 彰正

  山形大理

• 山谷 和彦

  北大工

• 榎 敏明

  東工大院理工

• 斎藤 一弥

  阪大院理

• 山田 順一

  兵庫大

• 榎 敏明

  東工大理工

• 富田 憲一

  山形大理

• 野々山 信二

  山形大地教

• 常田 琢

  奈良教育大

• 丹田 聡

  北大工

• 増田 耕育

  阪市大院理

• 安塚 周磨

  阪市立大理

• 村田 惠三

  阪市立大理

• 安塚 周摩

  阪市大院理

• 安塚 周摩

  物材機構

• 北川 宏

  九大理

• 鈴木 修

  物材機構

• 寺井 慶和

  阪大院工

• 稲垣 克彦

  北大工:トポロジー理工学教育研究センター

• 鈴木 正継

  ニューヨーク州立大ビンガムトン校物理

• 富田 憲一

  山形大学大学院理工

• 村田 惠三

  大阪市立大理

• 大西 彰正

  山形大 理

• 鈴木 伊津子

  ニューヨーク州立大ビンガムトン校物理

• 村田 惠三

  大阪市大院理

• 高森 安由美

  広島大院工

• 徳本 圓

  電子技術総合研究所

• 齊藤 一弥

  阪大理

• 寺井 慶和

  府大総合科

• 寺井 慶和

  物質・材料研究機構

• 安塚 周磨

  物質・材料研究機構

• Sato Ko-ichi

  Plasma Science Center Nagoya University

• 小林 達男

  分子研

• Tokumoto T.

  NHMFL

• 常田 琢

  北大工

• Saito K

  Research Center For Molecular Thermodynamics Graduate School Of Science Osaka University

• 丹田 聡

  物材機構

• 山谷 和彦

  物材機構

• Choi E.

  フロリダ州立大

• 山村 泰久

  筑波大数理物質

• 村田 惠三

  大阪市立大学 理学研究科 物質科学科

• 斉藤 一弥

  阪大理

• 大西 彰正

  山形大物

• 安塚 周磨

  大阪市立大

• 横川 敬一

  大阪市立大

• 清水 孝文

  東大物性研

• 矢ケ部 太郎

  物材機構

• Saito G

  Department Of Chemistry Faculty Of Science Tokyo Metropolitan University

• Saito K

  Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo

• 富田 憲一

  高エネ研物構研

• 佐々木 実

  山形大学理学部

• 常田 琢

  北大・工

• 村田 惠三

  大阪市立大学 大学院 理学研究科 電子物性学研究室

• 横川 敬一

  大阪府立成城工業高等学校 定時制

• SAITO Kazuya

  Frontier Materials Laboratory, Toyota Technological Institute

• 稲垣 克彦

  北大工

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著作論文

• 23aGS-6 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aGS-5 トップゲートを用いたグラフェンFET素子の磁気輸送特性(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aGS-11 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性(20aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pGT-11 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定による温度磁場相図(20pGT 一次元系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pWB-9 擬2次元有機超伝導体(ET)_2Cu(NCS)_2のジョセフソン磁束フロー抵抗における四回対称性(κ-ET系,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aRB-9 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2のvortex状態における熱測定(dmit・κ・τ塩,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 26pYB-5 κ-(BETS)_2FeBr_4の磁気熱効果と比熱(26pYB 微小結晶,BETS系,DMIT系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pTE-3 κ-(BETS)_2X,(X=FeBr_4,FeCl_4,GaCl_4)における低温強磁場物性の比較(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWB-11 κ-(BETS)_2FeBr_4のシュブニコフ-ドハース振動におけるヒステリシス(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWB-9 λ-(BETS)_2FeCl_Br_xの磁場誘起超伝導(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWB-8 λ-(BETS)_2Fe_xGa_Cl_4の磁場誘起超伝導状態におけるvortex-antivortex状態(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pYK-1 磁場誘起超伝導体,κ-(BETS)_2FeBr_4の磁気トルク(π-d系1, N-1移転,領域7(分子性固体・有機導体))
• 15pWH-5 磁場誘起超伝導体, κ-(BETS)_2FeBr_4 のシュブニコフ-ドハース振動と角度依存磁気抵抗振動(BETS 塩, 領域 7)
• 28pWL-1 擬二次元有機伝導体,κ-(BETS)_2FeBr_4の磁場誘起超伝導(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
• 29pPSA-46 UGe_2の圧力下磁場中電気抵抗測定II(29pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aXD-4 UGe_2の圧力下磁場中電気抵抗測定(ウラン化合物,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aYE-8 超薄膜グラファイトの量子振動とバンド特異性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRA-5 グラファイト薄膜における強磁場下磁気抵抗測定(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
• 15pWF-2 インコヒーレントな層間結合をもつグラファイト層間化合物における低温伝導特性(グラファイト, 領域 7)
• 30pRB-1 有機不整合格子系伝導体(MDT-TS)(AuI_2)_の基底状態(30pRB 超伝導物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 14aTM-2 有機不整合格子系超伝導体 (MDT-TSF)(I_3)_ のフェルミ面(陽ラジカル塩・ET 塩 : α型, 領域 7)
• 28pWL-12 ヨウ素無限鎖をもつ有機不整合格子系超伝導体(MDT-ST)(I_3)_の構造と電子状態(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
• 27aYE-7 グラファイトの負性層間磁気抵抗とH点ホールの3次元Dirac粒子性(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aYG-9 PrInAg_2のdHvA効果と極低温物性(四極子,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYF-12 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電場磁場下電気伝導(29pYF α-ET系,輸送現象,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pYF-7 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果II(28pYF TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTC-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定とホール効果(21pTC TMTSF/TMTTF系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aWF-3 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果III(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aWF-2 全方位角磁気抵抗振動測定によるα-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の電荷密度波状態の研究(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aQB-6 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23aQB-8 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4における角度依存磁気抵抗振動と電荷密度波状態II(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pTF-5 (TMTSF)_2ClO_4の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定(TM系,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19pWB-9 θ-(BEDT-TTF)_2CsZn(SCN)_4の絶縁相における電荷輸送(ET塩(β,θ),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aWF-3 微小Al試料のボルテックス状態における電流-電圧特性(微小超伝導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYG-5 微細加工したAl薄膜試料の電流-電圧特性(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
• 24pYK-2 λ-(BETS)_2FeCl_4の磁場誘起超伝導状態におけるFFLO状態の可能性(π-d系1, N-1移転,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRA-2 単層/2層グラフェン接合系の磁場中電気伝導II(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12pTM-10 微細幅を持つ擬一次元導体 NbSe_3 の磁気抵抗に現れるエッジ散乱効果(電荷密度波, 領域 6)
• 12pTM-5 NbSe_3 の磁場誘起相(電荷密度波, 領域 6)
• 24pRA-3 2層グラフェンn-p-n接合系における量子ホール伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRA-6 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性II(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pRB-5 θ-(BEDT-TTF)_2MZn(SCN)_4(M=Cs,Rb)の電荷秩序相における磁気抵抗(27pRB ET系(θ系),領域7,領域8合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12aWE-7 (TMTSF)_2ClO_4 の強磁場 SDW 状態におけるホール抵抗振動(TMTCF 塩, 領域 7)
• 29pWL-16 圧力下β"-(ET)(TCNQ)の輸送現象(ET塩・dmit系)(領域7)
• 20aWF-4 層状低次元導体における非対角磁気抵抗の磁場角度依存性(20aWF 密度波・磁気抵抗効果・dmit系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pWA-5 UNi_2Al_3のdHvA効果(ウラン化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pRB-2 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力下比熱測定(26pRB 電荷秩序,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRB-16 α-(BEDT-TTF)_2NH_4Hg(SCN)_4の角度依存磁気抵抗に対する電場効果(中性イオン・π-d系・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pYT-14 微小A1超伝導ディスクにおける伝導特性(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13aYC-8 微細加工した Al 薄膜試料の電流-電圧特性 II(微小超伝導・微小ジョセフソン接合, 領域 4)
• 23aQB-5 低次元導体における非対角磁気伝導の角度依存性(分子デバイス・磁気抵抗効果,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pWL-2 λ-(BETS)_2FeCl_4の磁場誘起超伝導状態におけるジョセフソンボルテックスのダイナミクスとFFLO状態(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
• 28aTA-7 変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTA-11 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTA-5 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下比熱測定(25pTA ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTA-6 2層グラフェンp-n-p接合における量子ホール伝導II(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTA-5 単層/2層グラフェン接合量子ホール効果の多端子測定(28aTA 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTR-8 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態II(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTR-7 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下比熱測定2(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTE-5 グラフェン単層2層接合における量子ホール界面状態(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTR-9 分子性ゼロギャップ伝導体のヘリカル表面状態(21pTR ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTE-14 スプリットゲートを持つ二層グラフェンの量子伝導(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• α-(BEDT-TTF)Iにおけるディラック電子系の比熱とその磁場効果
• 25aBK-5 8GPa下のα-(BEDT-TTF)_2I_3のDirac Cone状態(25aBK ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pEB-8 α-(BEDT-TTF)_2I_3の圧力・磁場下熱電効果測定(19pEB Dirac電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXN-5 圧力下α-(BEDT-TTF)_2I_3のディラック電子系における熱起電力・ネルンスト効果(27aXN ディラック電子系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pDJ-1 α-(BEDT-TTF)_2I_3におけるディラック電子系の熱物性測定(領域7,領域4,領域8合同招待講演,領域7(分子性個体・有機導体))
• 26pDJ-1 α-(BEDT-TTF)_2I_3におけるディラック電子系の熱物性測定(領域7,領域4,領域8合同招待講演,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))

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