EB部分一括露光マスクにおける電子散乱

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概要

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EB部分一括露光法ではクーロン効果や近接効果がリソグラフィの重要性能である解像度や線幅精度に大きく影響する。さらにマスクも電子線形状やウェハ上でのコントラストすなわち解像度に影響すると考えられる。従来マスクの厚さは入射電子の侵入長以上必要とされSiの場合50keVで20μmとされていた。このような厚いマスクは作製が困難であり、かつエッチング時のマイクロローディング効果等により線幅精度が低下する問題を有していた。今回、マスクの薄膜化を目的にEB部分一括露光マスクにおける電子散乱を計算及び実験により求めた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-09-18

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