低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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本論文では,低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する.提案技術は,プリチャージレスイコライザ及び小振幅ライトバックドライバから構成され,リーク電力及び書込み時のアクティブエネルギを削減出来る.40nmプロセスを用いて,512Kbの8T SRAMを試作し実測評価したところ,読出し:書込み=50%:50%の条件において,消費エネルギ12.9μW/MHz,0.5Vでの単一動作を実現した.また,従来ライトバック手法に比べて,書込み時アクティブエネルギを59.4%,リーク電力を26.0%削減出来る事を示した.
- 2012-04-16
著者
-
吉本 雅彦
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
-
奥村 俊介
神戸大学
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
-
奥村 俊介
神戸大学システム情報学研究科
-
川口 博子
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
金沢大学工学部
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
奥村 俊介
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
川口 博
神戸大学大学院
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院
-
寺田 正治
神戸大学大学院
-
吉本 秀輔
神戸大学大学院
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院工学研究科
-
鈴木 利一
株式会社半導体理工学研究センター
-
宮野 信治
株式会社半導体理工学研究センター
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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