鈴木 利一 | 株式会社半導体理工学研究センター
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概要
関連著者
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奥村 俊介
神戸大学大学院システム情報学研究科
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川口 博
神戸大学大学院
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吉本 雅彦
神戸大学大学院
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寺田 正治
神戸大学大学院
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吉本 秀輔
神戸大学大学院
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鈴木 利一
株式会社半導体理工学研究センター
-
宮野 信治
株式会社半導体理工学研究センター
-
梅木 洋平
神戸大学大学院
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森脇 真一
株式会社半導体理工学研究センター
-
川澄 篤
株式会社半導体理工学研究センター
-
吉本 雅彦
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
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奥村 俊介
神戸大学
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吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
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宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
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奥村 俊介
神戸大学システム情報学研究科
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川口 博子
神戸大学大学院システム情報学研究科
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吉本 雅彦
金沢大学工学部
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吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
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鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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川澄 篤
株式会社東芝
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森脇 真一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
川澄 篤
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院工学研究科
-
梅木 洋平
神戸大学
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吉本 秀輔
神戸大学大学院工学研究科
-
奥村 俊介
神戸大学大学院工学研究科
著作論文
- 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kb サブ 10pJ/access動作8T SRAM(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kb サブ 10pJ/access動作8T SRAM(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM
- 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm256-Kbサブ10pJ/access動作8TSRAM
- 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm256-Kbサブ10pJ/access動作8TSRAM