C-12-1 0.6V動作可能なハーフセレクト耐性を向上させる差動書込み技術を用いた40-nm 8T SRAM(C-12.集積回路,一般セッション)
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-03-06
著者
-
吉本 雅彦
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
-
川口 博
神戸大学大学院工学研究科
-
川口 博
神戸大学システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
吉本 秀輔
神戸大学システム情報学研究科
-
川口 博子
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
金沢大学工学部
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
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川口 博
神戸大学大学院
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吉本 雅彦
神戸大学大学院
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梅木 洋平
神戸大学大学院
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寺田 正治
神戸大学大学院
-
吉本 秀輔
神戸大学大学院
-
梅木 洋平
神戸大学
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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