薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータを試作した。試作LDOでは印加電圧緩和技術を適用することで,薄膜MOSの通常印加電圧以上の電圧入力を実現している。このことにより,試作LDOの最大出力電圧を薄膜MOSの通常印加電圧としている。さらに, (1)薄膜MOS採用による出力MOSの1GHz高速切り替え, (2)出力MOS段数の削減により,負荷変動への高速応答を実現し,出力キャパシタを不要としている。特に, (2)では新規ゲート幅設定技術を適用することで幅広い負荷電流範囲(400μA-250mA)をわずか56段の出力MOSで対応している(従来比78%減)。試作LDOを40nm CMOSプロセスで試作・評価した結果,面積は0.057mm^2,負荷応答時間は0.07μsであった。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-26
著者
-
柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
-
五十嵐 康人
ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
小野内 雅文
日立製作所中央研究所
-
森田 貞幸
(株)ルネサステクノロジ
-
小野内 雅文
(株)日立製作所中央研究所
-
石橋 孝一郎
電気通信大学 情報理工学研究科
-
五十嵐 康人
ルネサスエレクトロニクス
-
小野内 雅文
ルネサスエレクトロニクス
-
大津賀 一雄
ルネサスエレクトロニクス
-
池谷 豊人
ルネサスエレクトロニクス
-
森田 貞幸
ルネサスエレクトロニクス
-
柳沢 一正
ルネサスエレクトロニクス
-
石橋 孝一郎
電気通信大学
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