森田 貞幸 | ルネサスエレクトロニクス
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概要
関連著者
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森田 貞幸
ルネサスエレクトロニクス
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五十嵐 康人
ルネサスエレクトロニクス
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小野内 雅文
ルネサスエレクトロニクス
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大津賀 一雄
ルネサスエレクトロニクス
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ルネサスエレクトロニクス
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柳沢 一正
ルネサスエレクトロニクス
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石橋 孝一郎
電気通信大学
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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五十嵐 康人
ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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小野内 雅文
日立製作所中央研究所
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森田 貞幸
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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小野内 雅文
(株)日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
電気通信大学 情報理工学研究科
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阪本 憲成
ルネサスモバイル株式会社
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山木 貴志
ルネサスエレクトロニクス
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森 涼
ルネサスエレクトロニクス
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加藤 章
ルネサスエレクトロニクス
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五十嵐 満彦
ルネサスエレクトロニクス
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渋谷 宏治
ルネサスエレクトロニクス
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福岡 一樹
ルネサスエレクトロニクス
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小池 貴夫
ルネサスモバイル
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小池 貴夫
ルネサスモバイル株式会社
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福岡 一樹
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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阪本 憲成
ルネサスモバイル
著作論文
- 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS 高速応答デジタルLDOレギュレータ
- 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS 高速応答デジタルLDOレギュレータ