小池 貴夫 | ルネサスモバイル

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概要

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関連著者

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 阪本 憲成

  ルネサスモバイル株式会社

• 福岡 一樹

  ルネサスエレクトロニクス

• 小池 貴夫

  ルネサスモバイル

• 小池 貴夫

  ルネサスモバイル株式会社

• 福岡 一樹

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 阪本 憲成

  ルネサスモバイル

• 森田 貞幸

  ルネサスエレクトロニクス

• 前田 徳章

  ルネサスエレクトロニクス

• 若原 康平

  ルネサスモバイル株式会社

• 藤ヶ谷 誠希

  ルネサスモバイル株式会社

• 入田 隆宏

  ルネサスモバイル株式会社

• 松山 嗣生

  ルネサスモバイル株式会社

• 長谷川 敬司

  ルネサスモバイル株式会社

• 齋藤 俊治

  ルネサスモバイル株式会社

• 福田 章

  ルネサスモバイル株式会社

• 寺西 要

  ルネサスモバイル株式会社

• 片岡 健

  ルネサスモバイル株式会社

• 服部 俊洋

  ルネサスモバイル株式会社

• 山木 貴志

  ルネサスエレクトロニクス

• 森 涼

  ルネサスエレクトロニクス

• 加藤 章

  ルネサスエレクトロニクス

• 五十嵐 満彦

  ルネサスエレクトロニクス

• 渋谷 宏治

  ルネサスエレクトロニクス

• 前田 徳章

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• LTE対応コミュニケーションプロセッサR-Mobile U2における電力制御技術 : "Power saver"によるクロック制御手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• LTE対応コミュニケーションプロセッサR-Mobile U2における電力制御技術 : "Power saver"によるクロック制御手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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