渋谷 宏治 | ルネサスエレクトロニクス

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概要

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著作論文

• 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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