低電圧・低電力LSI技術の最新動向(集積エレクトロニクス,招待論文)
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概要
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LSIの低電力化は微細化による内部容量の低減と低電圧動作により達成されてきたが,近年はリーク電流とトランジスタ特性のばらつきにより,低電圧化の速度が低下した.特にオンチップメモリにその影響が顕著であった.この課題に対処するためにプロセス,回路,アーキテクチャの各分野で毎年のように新しい低電力技術が次々に開発されてきた.近年ではLSIの低電力化はますます重要になっており,FINFETやSOI等のデバイス技術,デバイスの変動に対応する調整回路技術,対象及び非対称Multi CPU等のアーキテクチャ技術が提案され実用化されている.現在はバイオエレクトロニクスやセンサネットワーク等極低電力を必要とする新しいアプリケーションが提案され,これに伴い極低電圧動作を行うサブスレッショルド論理回路の研究が広く行われている.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-01-01
著者
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