SNOM技術の光記録へ応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1999-01-01
著者
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所中央研究所
-
保坂 純男
(株)日立製作所
-
保坂 純男
日立 中研
-
一色 史雄
(株)日立製作所 中央研究所
-
伊藤 顕知
(株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部
-
新谷 俊道
(株)日立製作所 中央研究所
関連論文
- 依頼講演 双方向ローカルライトドライバ,1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM (集積回路)
- FePtナノ粒子の磁気特性とLB法による単層膜形成(薄膜)
- FePtナノ粒子の磁気特性とLB法による単層膜形成
- 垂直記録用単磁極型GMRヘッド
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 6a-T-11 STMによるAu/Si(111)吸着構造の観察
- 走査型トンネル顕微鏡の試作と表面観察
- 3a-B4-6 STMによる酸素ガス吸着状態の観察
- 3a-B4-4 高速走査型トンネル顕微鏡による実時間観察
- 走査型トンネル顕微鏡(STM)とその画像 : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
- 27a-P-6 STMによるSi表面の観察
- 27a-P-5 STMによる層状物質表面の観察
- SPMによるナノマシーニングとデータストレージ
- 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ハードディスクの高密度化技術 : ハードディスクに限界はあるか
- SNOMを用いた相変化記録
- ハーフメタル薄膜の磁気、伝導特性
- Au膜上のハーフメタルFe_3O_4薄膜の開発とその応用
- 超高密度光記録
- 原子間力顕微鏡探針を用いた加圧変調ナノメータ記録
- CO_Fe_/SrTiO_3/La_Sr_MnO_3接合のインバースTMRのバイアス依存性
- 高速レ-ザ-描画システム
- 半導体プロセスにおけるレ-ザ-ビ-ム走査技術
- ハーフメタル強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果とその伝導物性
- Co_Fe_/SrTiO_3/La_Sr_MnO_3接合におけるインバースTMR効果のバイアス依存性 : 磁気抵抗効果・交換結合
- 超高真空AFM/STM装置による表面観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 近接場光学の光記録への応用 (特集 近接場光学)
- 近接場光を用いた超高密度記録
- テラビットメモリーへの挑戦(創立100周年記念ミクロの世界)
- SPMを用いた超高密度記録の現状と将来
- 超微小電流の通過とトライボロジー:走査プローブ顕微鏡
- 走査型トンネル顕微鏡 (STM) による超微細加工技術
- SEM機能を有する高性能走査トンネル顕微鏡(STM)の開発
- SNOM技術の光記録へ応用
- STMの高性能化と先端プロセスへの応用
- イオンビーム加工法によるスパッタ率
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
- スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スピン注入ホール効果の偏光検出器への応用