SNOMを用いた相変化記録

概要

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最近のストレージ技術おける高密度化は10年で10〜30倍というトレンドで増加の一途をたどっている。現在,光記録が約1Gbit(lx10^9bit)/in^2,磁気記録が約70OMbit/in^2であり、20年後には、数1OGbit(10^10bit)/in^2に達する。しかし現在の磁気記録,光記録方式では超磁性や光の回折のため数1OGbit/in^2の高密度が限界であると言われている。この壁を打ち破るためのlつの手段として、SN0M(Scanning Near-field 0ptical Microscope,走査型近視野光顕微鏡)を利用したストレージ技術が極めて注目されている。1992年、AT&TのBetzigらは、SNOMを用いたl00Gb/in^2の光磁気超高密度メモリの可能性を示した。しかし、この方式は力-効果やファラディ効果を使用するため、検出光量が約3桁減少するため、高速化に向いていないという欠点があった。また、微細化も、磁性材料の磁気特性に依存するので1Tb/in^2までの高密度化には問題がある。そこで、我々はSNOMによるエバネッセント光相変化記録を取上げ、その可能性を検討した。ここでは、特に、ビットサイズ、高速信号検出について検討したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-03-11