擬2次元によるMOSFET高速デバイスシミュレーション手法の提案
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概要
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長チャネルの特性評価のために、1次元プロセスシミュレータから不純物分布を読み取り、1次元のポアソン方程式を解いて得られるキャリア密度からMOSFETのドレイン電流をに計算するモデル式を導いた。ドリフト電流と拡散電流の両方を考慮することにより2次元デバイスシミュレータの結果と一致させることが出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-23
著者
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