a-Si TFTの容量特性評価
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概要
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TFT-LCDに用いる実サイズa-Si TFT(W/L=30/11μm)のゲート-ソース間容量(C_<gs>)をディスプレイ駆動条件下で評価する手法を開発した.C_<gs>をゲート-ソース間のオーバラップ容量とTFTのON,OFF領域でのMOS容量からなると仮定して,理論式と実測からOFF領域でのMOS容量がTFTの電圧-容量特性に大きな影響を与えることを示した.本評価手法により,周波数などの依存性をすべて含んだ容量モデルを提供できるので,回路網解析ツールによる高精度の画素電位予測が可能となる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-02-25
著者
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