原 紳介 | 東理大理工

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概要

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• 色川 勝己

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• 三木 裕文

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• 原 紳介

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• 三木 裕文

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• 小林 秀和

  東理大理工

• 原 紳介

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 藤代 博記

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 河津 璋

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• 色川 勝巳

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  東京理科大学

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  東京理科大学基礎工学部電子応用工学科

• 藤代 博記

  東京理科大学大学院

• 渡辺 一之

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• 藤井 克匡

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著作論文

• 30aPS-26 Si(001)4×2-Ga構造のSTMと第一原理計算による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-31 Si(113)3×1-GaのSTM観察と第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-44 Si(001)-8xn-Ga(n=4, 5, 6) クラスター内部構造の水素暴露による研究(領域 9)
• 6pPSB-36 走査型トンネル顕微鏡(STM)によるSi(100)表面のGa薄膜の構造解析(表面界面結晶成長,領域9)

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