C-10-13 モンテカルロ物理デバイスシミュレータによる0.1μmゲートInP-HEMTの解析(2)(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-09-07

著者

• 加賀 理恵子

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 原 和秀

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 畠中 雅宏

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

• 藤代 雑記

  東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻

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