20aPS-3 SiナノドットのオーダーN電子状態計算(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27pQF-9 GPUによるOrbital-free第一原理分子動力学法の高速化(電子系(密度汎関数法,その他),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
GPUによる Orbital-Free 第一原理分子動力学シミュレーションの高速化
-
GPUによる平面波基底第一原理計算の高速化
-
28aRC-9 GPUによる第一原理計算の高速化(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
カエルにもわかるGPUによる科学計算入門(4)
-
21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
カエルにもわかるGPUによる : 科学計算入門(3)
-
カエルにもわかるGPUによる科学計算入門(2)
-
カエルにもわかるGPUによる科学計算入門(1)
-
20aRH-5 Pd(110)面上のC_2H吸着分子の第一原理電子状態計算
-
27aYQ-8 Pd(110)面上のC_2H_4吸着分子の第一原理電子状態計算
-
25p-G-5 鏡映電荷によるコンボイ電子の加速
-
26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18aWA-12 ハイゼンベルク・マシーン : 強相関系ESRスペクトルヘの応用(量子スピン系,領域11,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
22pXF-7 高圧下でのメタンハイドレートの NMR 遮蔽定数の計算
-
26pZB-11 構造I型Geクラスレートの高圧構造相転移(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
23aWF-12 氷高圧相の状態方程式と水素結合対称化(23aWF ゼオライト・分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
-
20aXA-6 3元系クラスレートBa_8T_xSi_(T=Ag,Au)の第一原理計算(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
20aXA-4 3元系クラスレートBa_8T_xSi_(T=Ag,Au)のラマンスペクトルとその圧力効果(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
超高圧固体アルゴンの弾性定数とその第一原理計算(最近の研究から)
-
26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21aYF-12 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクス(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21aYF-11 電子ガス・量子ドット結合系における電子状態(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25aXD-7 ハイゼンベルク・マシーン(スピン流と量子情報科学への応用)(25aXD 量子スピン系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
25pRB-8 定常スピン流存在下での量子情報伝播(25pRB 量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
29p-ZG-1 結晶場による電磁シャワー生成
-
27pVE-8 極低温近接場光学顕微鏡を用いた2次元電子系境界の光応答マッピング(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
氷Ih相の秩序相
-
高圧クロミウムのスピン密度波
-
25aWQ-8 ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
22aXH-9 分子磁性体V15におけるESR吸収強度比の温度依存性とDM相互作用(量子スピン系(クラスター),領域3(磁性,磁気共鳴))
-
12pWG-12 V15 の ESR における吸収強度の温度依存性(量子スピン系 : 一次元及びクラスター, 領域 3)
-
24aXA-2 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測 その2(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
「燃える氷」メタンハイドレートの謎に迫る!
-
高圧下の水素ハイドレート
-
27aTE-8 ナノ多結晶ダイアモンドの大規模電子構造計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
2p-G-1 二次電子放出に対するウェイクポテンシャルの影響
-
2a-G-10 高速荷電粒子の金属表面におけるエネルギー損失
-
3a-L-4 水切り運動の出射角分布の計算
-
19aRD-1 超伝導体・半導体接合の顕微光照射によるイメージング(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
-
18pTA-6 量子チューブにおける荷電励起子エネルギーのAB振動(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
29pXG-1 GPUを用いた分子動力学法と境界要素法の加速(29pXG 応用数学・力学・波動,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
24aWZ-6 超高圧中性子回折装置PLANETの概要と現状(24aWZ X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
-
31a-YG-3 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算III
-
31a-YG-2 オーダーN・量子ダイナミクス法による微結晶の誘電関数の計算
-
31P-YB-3 実時間実空間差分法を用いたフォトニック結晶共振器の共振特性の解析
-
29a-WD-5 実時間実空間差分法シュレーディンガー方程式による線形応答関数の数値計算
-
18aTG-1 水素終端n型及びp型ケイ素(111)表面の化学反応性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
19aYN-11 いろいろな物質におけるポストペロブスカイト相転移(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
14pTJ-9 地球マントル最下部 MgSiO_3 post-perovskite 相の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
-
25aWQ-9 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
低密度二次元系のキャリア相関の発光測定
-
7p-J-11 オーダーN・時間依存密度汎関数法による微結晶の誘電関数の計算
-
7p-J-10 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算II
-
28a-YE-1 実時間実空間高次差分法によるシリコンナノ結晶の電子状態計算
-
太陽系外生命の第一原理計算をめざして : メタンハイドレート新高圧相など
-
4a-P-5 パソコンを利用した「量子ダイナミクス入門」の試み
-
5p-A-7 数値量子ダイナミクス入門
-
5a-J-2 量子ドットのファラデー効果
-
5a-J-2 量子ドットのファラデー効果
-
3a-L-1 金属表面での非弾性散乱をともなったポジトロニウム生成
-
4a-X-8 結晶場による高エネルギーチャネリング電子の重力波放出強度
-
25pWJ-4 Variation of charged and neutral exciton-photoluminescence intensities with time in GaAs quantum well
-
27aYG-6 3次元C_ポリマーの有限温度ダイナミクス(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
量子ドットの物理(計算物理,第40回 物性若手夏の学校(1995年度),講義ノート)
-
20aPS-3 SiナノドットのオーダーN電子状態計算(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
19aRG-10 シリコンクラスレートの高圧相転移(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
-
26pZB-12 シリコンクラスレートの高圧相転移(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
24aXL-2 n型量子ドットのオーダーN電子状態計算(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27aXG-11 ハイゼンベルク・マシーン : 量子スピン系用計算機(27aXG 量子スピン系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
20aXA-10 シリコンクラスレートの高圧相転移(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26pYM-6 地球マントル最深部MgSiO_3 post-perovskite相の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
14pTK-5 巨大行列の対角和を計算するための乱雑位相ベクトル(電子系, 領域 11)
-
30aWN-1 高圧LiH結晶の振動スペクトルの第一原理計算(物質設計・トンネル効果)(領域7)
-
22pXF-8 ガスハイドレートの高圧物性の第一原理計算 III
-
26pEH-1 マグマの量子シミュレーション(26pEH 液体金属・準結晶・金属一般,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
-
24pTG-11 氷におけるプロトンダイナミクス(24pTG 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
27aCF-4 氷高圧相におけるプロトン拡散(27aCF 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
21pEB-4 氷高圧相におけるプロトンダイナミクス(21pEB 高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
氷高圧相におけるプロトンダイナミクス・シミュレーション
-
26pXF-14 氷VII相におけるプロトンダイナミクス(熱伝導)(26pXF 高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
-
8pSE-8 ガスハイドレートの高圧物性の第一原理計算II(高圧物性,領域7)
-
3a-G-8 2階差分方程式による大エルミート行列の対角化法(3aG 応用数学・力学・流体物理,応用数学・力学・流体物理)
-
24aZC-9 ガスハイドレートの高圧物性の第一原理計算(24aZC 高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク