28pTN-9 化学修飾したSi(100)表面におけるペンタセンの薄膜成長とエネルギーレベルアラインメント(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))

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概要

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• 2011-03-03

著者

• 吉信 淳

  東大物性研

• 向井 孝三

  東大物性研

• 吉本 真也

  東大物性研

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 向井 孝三

  東京大学物性研究所

• 亀島 一輝

  東大物性研

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