23aXA-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF_4-TCNQの電子状態 : NEXAFSと内殻光電子分光による研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 古橋 匡幸

  東大物性研

• 吉信 淳

  東大物性研

• 片山 哲夫

  東大物性研

• 向井 孝三

  東大物性研

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 小口 和博

  東大物性研

• 坂口 裕二

  東大物性研

• 近藤 寛

  慶應大理工化学

• 近藤 寛

  慶応大理工

• 近藤 寛

  慶応大学

• 紅谷 篤史

  東大物性研

• 大久保 悠

  東大物性研

• 近藤 寛

  慶應義塾大学

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